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使用 B1505A 评估 GaN 电流崩塌效应 Agilent B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪加速您的氮化镓 (GaN) 功率器件开发 应用简报 B1505A 完全集成、现成的 GaN 电流崩塌解决方案 B1505A GaN 电流崩塌测量解决方案的关键特性 在 GaN 器件中，由电子俘获或释放所引起的电流崩塌效应可视为瞬态现象，在施 在广泛的时间间隔内执行动态导通电阻测量: 加高压之后，可通过降低电流消耗进行补偿。由于电流崩塌效应限制了 GaN 器件的性 • OFF 状态至 ON 状态的切换时间为20 μs 能和可靠性，研究人员对此表现出强烈的关注。糟糕的是，迄今为止，由于市面上没 • 高速采样 (2 μs 采样率) 有兼具以下全部功能的适当设备，所以很难对电流崩塌效应获得详细了解。本文概述 • 长期变化测量 (长期测量模式) 了 B1505A 如何结合使用 N1267A 高电压源监测器单元/强电流源监测器单元快速开关 宽泛的电压/电流量程与精密测量: 来应对 GaN 电流崩塌测量挑战。 • 3000 V OFF 状态电压应力 • 20 A ON 状态漏极电流 • 捕获电流测量结果，具有 6 位分辨率 GaN器件评测提高工作效率: • 支持封装器件和晶圆上器件测试 • 预安装的应用测试可以快速启用 GaN 电流崩塌测量 GaN 电流崩塌测量的主要要求 B1505A GaN 电流崩塌测量解决方案设置 • 在 OFF 状态中施加几百伏电压。 • B1513B HVSMU 用于在 OFF 状态下 Agilent B1505A • 在移除高压之后，应当立即测量安培计的瞬时电流。 施加高电压偏置。 B1513B HVSMU OFF N1267A • 测量快速响应和缓慢响应。 OFF ON • B1512A HCSMU 用于在 ON 状态下 HVSMU/HCSMU ID VDD VD 测量电流和施加电压。 B1512A HCSMU ON D