应用于半导体化学机械研磨之纳米级超微细二氧化铈粉末新制程技术.pdfVIP

20卷 化工冶金增71J(1999) 441 虑用於牛尊馒化犟橙械研磨之奈米扳超徽糊=氧化缅粉末新袋程技衡 到如熹施文麈 台湾大罩化罩系台北106 黎源欣邱建莘 台澎永光化晕工粱股份有限公司 桃圜329 蔡明莳 毫微米元件簧赣室新竹300 Mechanical 擒要：化翠擞械研碧(Chemical Polishing：CMP)矗澡次数米牟弭馈裂程 中之晶圆表面平坦化最可行技黹·随著稹位置瞎技衙之戚畏-荨辕之延遵蒋限耐晶片效 目2之提升·救嚣电阻葛绦其僵鼍容介曩材料庭蓬而生·由於有檀高分子介鼍材料具较儋 之介噩常敷倍t其更遭台定用於薄膜材料·然而目前仍欠缺封於有鞯正t着薄蒜之亿晕摄 械研彦粉性-配方舆摄制的豫解而薅致其鏖用上的瓶颈·本研究已骚明和用粉矗覆薹管 olq 表面(PowderTemplateSurface：POTS)方法羁l铺亲米般超截栅二氧化铈研彦粉末· ether：PAE： 其已可麾用於牛群馒化翠摄槭研碧款程之聚豆芳香醛(Polyaryleae FLARE“2．0)高分子介霄材料之研唐灌，可有效地±量加聚盟芳香醛介鼍材料乏亿晕橙 槭研謦蘧率· 髑t字：化晕摄槭研唐、暂千磨液，介鼍材料及超徽榴粉来 I．储介 由於横馒鼋路生麈成本舆元件操作速度的考量·穰髓鼋路裂作技衙已遘入超大型整台世 代(Ultra，large·scale I·箨砉囊之 然依照陌梗(Gate)尺寸桔小丽提升·但是晶片之效能酃被尊艨莲镍速度所限制(I 廷逞(Intercotmectdelay)；}辱在元件艨宽小於0．25微米礴太幅增加t因此；f辱抵漓嗣梗延逞(Gate delay)之下降t莲而限％Ⅱ晶片效能之提升-尊糠延淫主要来自R．C畴f：：1延遘(KCtimedelay)- 其髑傈式如下：【2】 RC=2p￡Eo(4L2，P2+L2／T2) 其中R舟金屠蹲操之鼋阻，C簏尊稼简介鼋簧之鼋窖·p爵金蜃萼擦之雹阻率·E焉介 鼋簧之介鼋常敦·￡。焉介鼋簧在真奎惩之介鼋常敷·而L，T舆P分别代表金厦蹲橡之畏度， 厚度及蓬镍之裱竞-由上式可知t喾荨艨畏度(L)及厚度(T)固定下·并糠之腺幅寅度璧 小(即P塑小)畴·Rc延暹就侠遵增加，而歌降低Rc旖简延莲则缓降低金属之鼍阻值(鼋阻 率)或介鼋簧之介鼍常致·尊棘蓬糠系统主要由铝台金(AIalloy)金属舆二氧化矽(SiO{) 介鼋餍所惰成·其中Al金鹰之罨阻率焉2．8口Q—cm，而二氧化矽之介鼋常敦焉4·在不考感 娥何上的改爱t例如改燮眷撩面稹下·欲降低金属鼋阻率或介置簧之介鼋常敦·劓表示材料 7／．1O—cm)·较高之熔黠(1083℃) 复要爱更·相毂於据金厦r嗣金属具有技低鼋阻率(1 resistance)等侄黠·但因铜容易擅敖到氧化詹’同畴 舆较高的抗毛致迁移(Electromigration etch)方式形成糠路，使得 因焉嗣的氯化物於低温下不具掉聚性·因此鞍箍以乾式触刻(Dry 工棠界一直舞法利用嗣金魔作焉蓦糠潼镍材料r但髓著裂程技衙不新遘步·不同材科之攘散 建嗣萼镍技擀之寅用化·1997年9月，荚固IBM公司率先宣布翻程出铜晶片裂程技衙一CMOS MHz之PowerPc“750晶片，正式宣告羁世代的东盛·