bst厚膜应用于铁电移相器的分析word格式论文.docxVIP

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2018-05-18 发布于上海
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bst厚膜应用于铁电移相器的分析word格式论文

AbstractAsakindoftypicalferroelectricmaterial,bariumstrontiumtitanate(BST)inthe paraelectricstatehaveshownthehightunabilityandlowdielectriclosses.Itisbeing broadlyusedin the development oftunablemicrowave applicationsespeciallyphase shifters.BSTthickfilmsoffermoderaterelativepermittivityandlowerbiasingvoltages comparedwiththoseofcomponentspreparedinbulkform,alsoBSTthickfilmsoffer betterelectricalpropertiescomparedwiththoseofthinfilms.Comparedwithother existingmethods,screenprintingisflexible,cost-effectivefabricationmethodfor fabrication of thick films.Thedevelopmentofmicrowavetechnologyiscontinuouslypushingelectronic componenttominiaturization,integration,andmultifunction.Thelow-temperature co-firedceramics(LTCC)technologyco-firedwithhighlyconductivesilverelectrodeshas recentlyundergonerapiddevelopment.AsthesinteringtemperaturesoftheBSTthick filmsaremuchtoohigh(??1200°C)forsuchaprocessingtechnique,themainaimofour researchistoreducethesinteringtemperatureofBSTthickfilmtobelowthemelting point of silver.Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)thickfilmswerefabricatedonAl2O3substrateviathescreen printingtechnologybyusingB2O3-Li2Oadditionsasliquid-phasesinteringaids.The effectsofB2O3-Li2Odopedonthephasecompositions,microstructuresanddielectric tunable properties of thethick films were systematicallyinvestigated. Itwas found that the grainsizeandelectricalpropertiesofthethickfilmwerestronglyaffectedbytheglass content.Thegrainsizeandtherelativepermittivitydecreasedobviouslywiththeincrease of B2O3-Li2O additive. In addition,the sintering temperatureof 4.5wt% B2O3-Li2O dopedBSTthickfilmhasbeeneffectivelyreducedto900℃.At20℃and10kHz,therelativepermittivityis312,thedielectriclossis0.0039,andthetunabilitycanbe16.2%(at3 kV/mm).BSTthickfilmCPWstructurewassimulatedwiththehighfrequencystructure simulator(HFSS),andtheBSTthickfilmcoplanarwaveguidestructurewasoptimized accordingtothesimulationresults.TheresultsshowthatthedielectricpropertiesofBST thickfilmareimportantfactorswhichaffecttheperformanceofthep