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倒装焊器件封装结构设计 package structure design of flip chip device
第13卷第9期 电 子 与 封 装 第 卷，第 期 电 子 与 封 装 总 第125期 13 9 Vo l . 1 3 ，N o . 9 ELECTRONICS PACKAGING 2013年9月 倒装焊器件封装结构设计 敖国军，张国华，蒋长顺，张嘉欣 （无锡中微高科电子有限公司，江苏无锡 214035 ） 摘 要：倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯 片、引脚（焊球、焊柱、针）、盖板（气密性封装）或散热片（非气密性封装）等组成。文章分别 介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷 （LTCC ）适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、 散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。 关键词：倒装焊；封装结构；气密性；高频电路；大功率 中图分类号：TN305.94 文献标识码：A 文章编号：1681-1070 （2013 ）09-0006-04 Package Structure Design of Flip Chip Device AO Guojun, ZHANG Guohua, JIANG Changshun, ZHANG Jiaxin （Wuxi Zhongwei High-tech Electronics Co., Ltd , Wuxi 214035, China ） Abstract: Flip chip bonding is one of development trend of high-integrated semiconductor for the future. Flip chip device includes carrier substrate, integrated circuit, pin （solder ball, solder column, pin ）, lid （hermetic package ）or heat spreader （nonhermetic package ）. The article describes the relation of flip chip package structure with package material, flip chip bonding area, frequency, air-tightness, power etc. Low temperature co-fired ceramic is fit for the flip chip of high frequency and large area. Power, thermal interface material, heat spreader and air-tightness determine the dissipation structure of high power flip chip. There are parallel seam welding and low temperature solder sealing for hermetic package of flip chip device. Key words: flip chip bonding; package structure; air-tightness; high speed circuit; high power
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