氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进 post hot phosphoric acid sionsin etching defect analysis and solving methods.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进 post hot phosphoric acid sionsin etching defect analysis and solving methods

技术专栏 T Technology Column S 氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进徐宽1 2 程秀兰1 1.上海交通大学微电子学院,上海 200030 2.中芯国际集成电路制造上海有限公司FAB3上海 201203 摘要在半导体制造工艺的湿法刻蚀中用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺在这个工艺中热磷酸刻蚀后的去离子水 DIW清洗更是一个非常重要的步骤主要分析了由于去离子水清洗不当造成的表面缺陷的形成机理并通过合理的实验设计和分析给出了具体的解决方案关键词半导体制造氮化硅湿法刻蚀湿法清洗缺陷中图分类号 TN305.97文献标识码 A 文章编号 1003-353X(2006)09-0650-03 and Solving Methods 12 1 XU Kuan, CHENG Xiu-lan (1. 200030China; 2. Shanghai201203, China) Abstract: complicated and hard to control design and analyses. Key words:semiconductormanufacturing; silicon 果不将这层残余物质清洗干净将严重影响芯片的 1 引言后续制程造成芯片成品率的损失和可靠性问题热磷酸湿法刻蚀已经在半导体制造工艺中应用所以热磷酸后清洗比其他酸液如SC2SPMHF 了几十年了由于热磷酸对氮化硅和氮氧化硅刻蚀等易去除的试剂之后的清洗更关键也更具有挑具有良好的均匀性和较高的选择比一直到了战性[1] 90nm的最先进制程也是采用热磷酸来刻蚀氮化硅与氮氧化硅 2 清洗缺陷产生机理分析常用的热磷酸刻蚀液是由85浓磷酸和15去随着工艺尺寸的逐渐缩小定义和刻蚀精准离子水 DIW配合而成并保持在160 的温的多晶硅线条变得越来越困难工业界常采用在度下进行刻蚀热磷酸刻蚀之后的芯片一般采用热多晶硅表面覆盖一层由化学汽相沉积的氮氧化硅去离子水清洗当芯片从160的磷酸槽进入水槽 SiON来解决这个问题在定义多晶硅线条的时芯片表面残余磷酸的粘度极剧增加并且形成光刻胶时氮氧化硅可作为防反射层 ARC 一层带有磷酸和副产物的薄层紧贴于芯片表面如使光刻更精确而在多晶硅刻蚀时氮氧化硅可 650 半导体技术第31卷第9期 2006年9月万方数据技术专栏 T Technology Column S 以当作硬掩膜即先将氮氧化硅刻蚀出线条形状不平的地貌使得芯片从热磷酸中取出时表