XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜.pdfVIP

! 第# 卷! 第 期 强 激 光 与 粒 子 束 $%’ # ，(%’ ! ! )**+ 年 月 ,-., /0123 45623 5(7 /538-942 :25;6 =’ ， )**+! 文章编号：! **?@A))（)**+ ）*?**@#?*@ !# 成像系统中像传递函数研究用的$% 刻蚀膜! ) ) 周! 斌 ，! 孙! 骐 ，! 韩! 明 ，! 熊! 斌 ，! 吴广明 ，! 黄耀东 ，! 沈! 军 （ 同济大学 波耳固体物理研究所，上海)***B) ；! ) 中国科学院上海冶金所传感器国家重点联合实验室，上海)***+* ） ! ! 摘! 要：! 研制具有网格或条状图形的6C 刻蚀膜靶，用于DE$ 系统中像传递函数的研究。在自截止腐蚀 工艺制备6C 平面薄膜的基础上，结合离子束刻蚀工艺，获得刻蚀深度为’ * !F 左右，网格尺寸为)+ !F G )+ !F ，或条状线宽为+ !F 的6C 刻蚀膜；测量了6C 刻蚀膜的形貌和刻蚀深度；研究了离子束刻蚀参数对图形形貌 的影响。并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息。 ! ! 关键词：! 像传递函数；! 离子束刻蚀；! 6C 刻蚀膜 ! ! 中图分类号：! 0@#)! ! ! ! 文献标识码：! 5 ! ! 研究驱动光束空间不均匀性对瑞利?泰勒流体力学不稳定性（3?8 CHI=JCCIK ）的影响，是-9L 精密化分解实 验的重要组成部分［ M A ］。进行这一轮实验的一个重要的系统是精密的DE$ 成像系统（DE$ 3=NC%OP=QRK 6KH? ISF ），它由探针光源及其驱动器、成像记录系统、辅助瞄准调控系统和测量用平面薄膜组成，对它的要求是空间 分辨率高，图像传递过程中的像畸变小。为获得自制的DE$ 成像系统中与像畸变有关的像传递函数，需以成 像系统测量具有特殊构型的靶，通过997 上的成像与测量用靶的结构参数的比较，获得图象传递过程中的像 传递函数。 ! ! 本文在自支撑6C 平面薄膜制备的基础上［@ ］，介绍以光刻结合离子束刻蚀的工艺在6C 平面薄膜上引入网 格或条状图形，获得用于像传递函数研究的6C 刻蚀膜。对6C 刻蚀膜的图形形貌和刻蚀深度进行了精确测量， 研究了离子束刻蚀工艺对图形形貌的影响。 ’( $% 刻蚀膜的制备 ［+ ］ ! ! 自支撑6C 平面薄膜 的制备是6C 刻蚀膜制备的基础。在自支撑6C 平面薄膜的制备中，引入光刻和离子 束刻蚀工艺，在6C 薄膜的表面制备网格或条状图形，获得6C 刻蚀膜。图 是6C 刻蚀膜的制备流程图。 LCO’ ! /PSQ=P=IC% QP%TSHH %U HCCT% OP=ICO U%CH 图! 6C 刻蚀膜的工艺流程图 ! ! 选用厚度为（)V* W * ） F ，电阻率 X A M V ·TF 的 型6C 片，以（** ）晶面作为扩散和腐蚀平面；先 ! ! 进行硼（ : ）扩散工艺，获得杂质: 的扩散深度为A M @ !F ；引入离子束刻蚀技术，在: 扩面上获得网格或条状图 形，刻蚀采用上海冶金所自制的4Y?型离子束刻蚀机；在腐蚀面上生长钝化膜，生成@** F 的6C0 和+* F ) ! 收稿日期：)**A?)?V ；! ! 修订日期：)**@ ?*# ?)A 基金项目：国家ZVA 计划项目资助课题，同济大学理科发展基