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第四章 晶体缺陷
● 点缺陷
● 位错的基本概念
● 位错的弹性性质
● 作用在位错线上的力
● 实际晶体结构中的位错
● 晶体中的界
1
第四章 晶体缺陷
● 晶体缺陷
实际晶体中偏离理想结构的不完整区域。
● 晶体缺陷容易受外界条件的影响,其数量及分
布对材料的行为有重要影响。
● 根据晶体中结构不完整区域的形状及大小,晶
体缺陷常分为如下三类 :
2
空位 Vacancy
空位 Vacancy
点缺陷
点缺陷
间隙原子 Interstitial atom
间隙原子 Interstitial atom
位错 Dislocation
线缺陷 位错 Dislocation
线缺陷
晶界 Grain boundary
晶体缺陷 晶界 Grain boundary
晶体缺陷
亚晶界 Subgrain boundary
亚晶界 Subgrain boundary
孪晶界 Twin boundary
孪晶界 Twin boundary
面缺陷
面缺陷
相界 Phase boundary
相界 Phase boundary
堆垛层错 Staking fault
堆垛层错 Staking fault
表 Surface
表 Surface
3
(1 )点缺陷 :零维缺陷,在三维空间各方向上
尺寸都很小。空位、间隙原子、异类原子等。
(2 )线缺陷 :一维缺陷。在两个方向尺寸小,
主要为位错。
(3 )面缺陷 :二维缺陷。在一个方向上尺寸
小,另两个尺寸方向较大。如晶界、相界等。
4
第一节 点缺陷
● 点缺陷的类型
● 点缺陷的浓度
● 点缺陷与材料行为
5
一、点缺陷的类型
1 、空位 :晶体中某结点上的原子空缺。
● 肖脱基( Schottky )缺陷 :脱位原
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