利用可控In气氛下热处理工艺制备Cd0.9Zn0.1TeIn.pdfVIP

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2015-09-20 发布于湖北
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利用可控In气氛下热处理工艺制备Cd0.9Zn0.1TeIn.pdf

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第36卷第8期稀有金属材料与工程 v01．36．No．8 RAREMETALLMATER认LSAND 2007年 8月 ENGINEEIuNG 2007 August Fabricationof Thermal Cdo．9Zno．1Te：In by under C0ntrolled AnnealingTechnology Indium Vapor Liu Wenbin，LiWanwan，MinJiahua，Li Hongtao：Sang Gang (shanghaiuniVersity，Shanghai200072，China) Abstract：In-difI’used Cdo9zno fabricatedthennal undercontrolledIndium 1Te(CzT：In)wasby annealing vapor．Anneal weredoneunderdiffbrentand at results experiments pIn pcd／pznbeingkeptequilibriumpartialpressure．Theexperimental showedthatthe risefrom6．75×105Q。cmto108～10ⅧQ‘cmandthe resistiVitymight conduction from typegraduallychanged to with behaViorofthe curvescouldbe welltheIn and p-哆pen-typepInincreasing．The resistivity explainedby dif龟sionthe betweendonor modelofcdznTesliceaRer compensation defect(Incd)andacceptordefect(Vcd)．Theresistivity annealing was founded．Basedontheaboveelectricaldata subsequently DInunder873K，973Kand1 073Kwascalculatedtobe