线性电子线路期末复习.pptVIP

举例 举例 训练题 某放大器的电压增益函数为 ，求该放大器的中频增益 Av以及高频截止频率ωh 和低频截止频率ωL 。 训练题 训练题 电路如图所示。已知：VCC＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，fT= 50MHz，rbb ＝100Ω, β0＝80。试求解： （1）中频电压放大倍数 Ausm?； （2） Cπ=?； （3）fH和fL； （4）画出波特图。 训练题 电路如图所示。（1）指出电路中的全局交流反馈类型和极性； （2）设电路满足深度负反馈条件，试估算中频电压放大倍数 Auf = U0／Ui 。 训练题 电路如图所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，rbb =100Ω，静态时, ｜UBEQ｜≈0.7V。试求： （1）静态时T1管和T2管的发射极电流。 （2）若静态时uO＞0，则应如何调节Rc2的值，才能使uO＝0V？若静态uO＝ 0V，则Rc2＝？电压放大倍数为多少？ 训练题 已知运放为理想运放，工作于线性区，双电源供电，电源电压 。试推导出该图中 的表达式； 训练题 已知运放内部电路共有三个极点，第一个极点的转角频率为 ，第二 、第三个极点的转角频率相同为 。其中 由运放内部R、C电路确定， 。有频率补偿端。运放的中频开环电压增益为80dB。 （1）写出该运放的电压传递函数AV（S）的表达式。 （2）运放加纯阻反馈网络，求相位裕量为45°时的反馈系数。 （3）运放接成右图所示电路，该电路是否可以稳定工作？ 若要求电路仍有45°的相位裕量，问此时补偿电容为多大？ * 对多级静态估算，若阻容耦合方式，每级Q点独立求解； 若直接耦合，β》1，则一般处理方法正常线性放大状态可以忽略后一级IB的影响！注意此时前级的电压VC提供次级的基极电压VB； 但若进入饱和区，后一级IB一般变大，一般不忽略！忽略也可，但误差较大！ 但并不影响饱和状态的估算！主要注意此时饱和态时，IE与IC不再近似相等！各自计算！ * * 典型题解2_多级放大电路静态估算 例：电路如右图所示，已知三极管的 ， ，饱和时 。求静态工作时T1、T2管的 、 、 和 。 2kΩ 12V 1kΩ 11kΩ 350Ω T1 T2 频率响应例题 例：如图所示，已知β、rbe、rbb’、fT、Cb’c，求中频电压放大倍数、FL、fH ，画出整个频区的等效电路、波特图。 + T V C b2 v + b R C R o CC - R b1 c L S + - R - + S v v i 第三章 例题频率响应例题 整个频区等效电路： 例题 求下限频率fL： 考虑低频区，C视为开路。有两个耦合电容，分别求其转折频率。 在两者中取一个较大值 求上限频率fH：考虑高频区，两个耦合电容短路。 第四章场效应晶体管及其基本放大电路 各种场效应管结构、工作原理、特点（同三极管电路比较）以及重要概念。 结型场效应管 增强型MOSFET 耗尽型MOSFET 转移特性： JFET： 增强型MOS： 耗尽型MOS： 第四章场效应晶体管及其基本放大电路 输出特性、可变电阻区和电流饱和区的界限 JFET： 增强型MOS： 耗尽型MOS： 三种工作状态 饱和态：工作于饱和电流区 非饱和态：工作于可变电阻区 截止态：工作于截止区 第四章场效应晶体管及其基本放大电路 低频小信号模型 对不同的组态， VGS不固定，注意求法。 不同的组态中频特性的求法，和BJT类比，找对应关系； 跨导 第四章场效应晶体管及其基本放大电路 考点： （1）场效应管放大电路的直流偏置静态分析； （2）共源、共漏放大电路的动态性能分析； 典型题解3_场效应管放大电路 典型题解1_场效应管放大电路 典型题解1_场效应管放大电路 典型题解2_场效应管放大电路 第五章 集成运算放大器 集成运算放大器特点：是一个高性能的直接耦合多级放大电路； 差动放大器：平衡结构、抑制零漂 参数AD、AC、CMRR、Rid、Ro。 电流源：镜像电流源、微电流源、比例电流源等； 考点： （1）差分放大电路的静、动分析方法、性能； （2）差动电路+典型电流源电路的分析方法； 典型题解1_差分放大电路 单端对地输入时输出测试: 差模输出 共模输出 静态时的值 双端输出 单端输出 例题1--电流源+差分放大电路 典型题解4