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第 9 章　半导体存储器 9.1　概　述 9.2　只读存储器 一、ROM 的类型及其特点 二、ROM 的结构和工作原理 2. 一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要进行编程，但只能编程一次。 三、集成 EPROM 举例 四、用 PROM 实现组合逻辑函数 9.3 随机存取存储器 二、集成 RAM 举例 本 章 小 结 主要要求： 了解 RAM 的类型、结构和工作原理。 了解集成 RAM 的使用。 了解 RAM 和 ROM 的异同。 了解 RAM 的扩展方法。    随机存取存储器（RAM） ②断电后存储的数据随之消失，具有易失性。 特点： ①可随时读出，也可随时写入数据； 根据存储单元的工作原理不同，RAM分为静态RAM和动态RAM。 静态RAM: 优点:数据由触发器记忆,只要不断电,数据就能永久保存。 缺点:存储单元所用的管子数目多,功耗大,集成度受到限制。 动态RAM: 优点:存储单元所用的管子数目少,功耗小,集成度高。 缺点:为避免存储数据的丢失,必须定期刷新。 1）SRAM的基本结构 1.静态随机存储器(SRAM) SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成. CS称为片选信号。 CS=0时，RAM工作； CS=1时，所有I/O端均为高阻状态，不能对RAM进行读/写操作。 R/W称为读/写控制信号。 R/W=1时，执行读操作； R/W=0时，执行写操作。 存储容量＝字数×位数 ＝2n×m位 2n ? m RAM 的结构图 RAM 与 ROM 的比较 相同处 ★ 都含有地址译码器和存储矩阵 ★ 寻址原理相同 相异处 ★ ROM 的存储矩阵是或阵列，是组合逻辑电路。 ROM 工作时只能读出不能写入。掉电后数据 不会丢失。 ★ RAM 的存储矩阵由触发器或动态存储单元构 成， 是时序逻辑电路。RAM 工作时能读出， 也能写入。读或写由读 / 写控制电路进行控制。 RAM 掉电后数据将丢失。 RAM 分类 静态 RAM(即 Static RAM，简称 SRAM) 动态 RAM(即 Dynamic RAM，简称 DRAM) 　　DRAM 存储单元结构简单，集成度高，价格便宜，广泛地用于计算机中，但速度较慢，且需要刷新及读出放大器等外围电路。 　　DRAM 的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的。由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性地对存储数据进行刷新。 　　SRAM 存储单元结构较复杂，集成度较低，但速度快。 　　 A0 ~ A9 为地址码输入端。 　　4 个 I/O 脚为双向数据线，用于读出或写入数据。 VDD 接 +5 V。 　　R/W 为读/写控制端。当 R/W = 1 时，从 I/O 线读出数据；当 R/W = 0 时，将从 I/O 线输入的数据写入RAM。 VDD Intel 2114 A7 A8 A9 I/O I/O I/O I/O R/W A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 1 K ? 4 位 SRAM Intel 2114 引脚图 信号与 TTL 电平兼容。 　　CS 为片选控制端，低电平有效。CS = 1 时，读/写控制电路处于禁止状态，不能对芯片进行读/写操作。当 CS = 0 时，允许芯片读/写操作。 　　存储矩阵有 1 K 个字，每个字 4 位。1K = 1024 = 210，故需 10 根地址输入线。 EXIT 半导体存储器 EXIT 概　述 本章小结 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 主要要求： 了解半导体存储器的作用、类型与特点。 　　例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。 二、半导体存储器的类型与特点 只读存储器(ROM，即Read-Only Memory) 随机存取存储器(RAM，即Random Access Memory) 　　RAM 既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息，断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。 例如 计算机内存就是 RAM 　　ROM 在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息，断电后其数据