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现代集成电路制造工艺原理;第九章 集成电路制造工艺概况;CMOS工艺流程 ;CMOS工艺流程中的主要制造步骤;硅片制造厂的分区概述;扩散;光刻;离子注入;薄膜生长;抛光(CMP);CMOS制作步骤;双阱工艺-n阱;双阱工艺-p阱;浅槽隔离工艺-STI槽刻蚀;浅槽隔离工艺-STI氧化物填充;浅槽隔离工艺-STI氧化层抛光-氮化物去除 ;多晶硅栅结构工艺;轻掺杂漏注入工艺-n-LDD注入;轻掺杂漏注入工艺-p-LDD注入;侧墙的形成;源/漏注入工艺-n+源/漏注入;源/漏注入工艺-p+源/漏注入;接触(孔)的形成;局部互连工艺-形成氧化硅介质的步骤;局部互连工艺-制作局部互连金属的步骤;通孔1和钨塞1的形成-通孔1的形成;通孔1和钨塞1的形成-钨塞1的形成;第一层金属(金属1)互连的形成;通孔2和钨塞2的形成-通孔2的形成;通孔2和钨塞2的形成-钨塞2的形成;第二层金属(金属2)互连的形成;ILD-5,第五层金属,ILD-6和氮化硅
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