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结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制.pdf
28卷第2期 计 算 物 理 v01．28．No．2
201
1年3月 CHINESE OFCOMPUTATIONALPHYSICS 1
JOURNAL Mar．．201
文章编号：1001-246X【201l102-0306-07
Simulation
andFabricationof
High—-Voltage
4H·SiCPiNDiodewith
JTE
ZHANG
Fashen91～，ZHANGYumin92
and South
(1．SchoolofComputerInformation and
Engineering，CentralUniversityofForestryTechnology，Changsha410004。China；
2·School Wide Materialsand
ofMicroelectronics．Xidian跏沁蚵．KeyLaboratoryof Devices，Xi’on
Band—G叩Semiconductor 710071，China)
Abstract：Reversecharacterizationsof4H-SiCPiNdiodeswith
voltage termination simulated
junction extension(JTE)B．re
atwo—dimensionaldevice
byusing simulator(ISE-TCADPiNdiodeswithJTEarefabricatedwitIIa
to)．0．4H．SiC planar
fabricationbasedonsimulation．Goodbetweensimulationand Wasachieved．Itshow8thata
process consistency experiments
PiN
4H-SiCdiodewith JTE terminationcanreachabreakdownofI600
optimized ismorethan90
edge voltage V，which
ofideal breakdown
percent parallelplane
junction voltage．
PiN
Keywords：4H-SiC
diode；JTE；simulation；process；breakdown
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