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概念题（名词解释）: 组分过冷：原来固液界面前沿的过热熔体，因溶质的出现而产生一过冷区，这种因组分变化而产生的过冷现象被称为组分过冷。 溶质分凝：在固液界面处，溶质在共存的两相中浓度不同。 同成分点：共存的两相成分完全相同，凝固时无分凝现象。 溶质保守系统与非保守系统：在整个晶体生长过程中，晶体－熔体系统中的溶质总量是不变的，称为溶质保守系统；若是变化的，则为溶质非保守系统。 何谓晶体生长动力学规律：生长速率与驱动力间的函数关系。 什么是相图：是处于平衡状态下物质的组分、物相和外界条件相互关系的几何描述，是一个物质体系相平衡图示的总称。 何谓相变驱动力或生长驱动力：生长单位体积的晶体所引起的系统吉布斯自由能的降低。 相变潜热：一克分子的物质从一个相转变为另一相，伴随着放出或吸收的热量。 共晶点与包晶点：共晶点：三相点的温度低于A和B的纯组元的凝固点；包晶点：三相点的温度介于A和B的纯组元的凝固点之间。 均匀成核和非均匀成核：若系统中空间各点出现新相的几率是相同的，称为均匀成核；若新相优先出现于系统中的某些区域，称为非均匀成核。 光滑界面与粗糙界面：界面中晶相原子的成分近于50％，则该界面为粗糙界面；若界面中晶相原子的成分近于0％或100％，则该界面为光滑界面。 奇异面和邻位面：界面能极图中能量曲面上出现最小值的点，即尖点，该点所对应的晶面为奇异面，奇异面是界面能较低的面。一般来说奇异面是低指数面，也是密积面。取向在奇异面临近的界面为邻位面。 一级相变和二级相变：按照自由能对温度和压力的偏导函数在相变点的数学特征——连续或非连续，将相变分为一级相变、二级相变或更高级的相变。一级相变:相变发生时，两平衡相的化学势相等，但化学势的一阶偏微分不相等。二级相变:相变发生时，两平衡相的化学势和化学势的一阶偏微分相等，但化学势的二阶偏微分不相等。 溶质分凝对晶体生长和晶体质量有何影响？溶质分凝的物理原因是什么？生长条纹有何用处？ 相似的混合传输的条件是什么？其数学基础是什么？ 在平界面的情况下，两相平衡的条件是什么？ 在弯曲界面的情况下两相平衡的条件有何不同？ 晶体生长是属于哪一级相变？该类相变有哪些特点？试根据克拉珀龙方程(Clapeyron) 判别如下两图中哪个是水的相图？并说明理由。其中L是相变潜热，p是压强，T是温度，v?是冰的克分子体积， v?是水的克分子体积。 5. 谈谈你对界面曲率对平衡参量的影响的理解。（界面平衡参量指：凝固点，饱和汽压，饱和浓度）试给出一个简单的物理解释。 谈谈你对温度梯度、浓度梯度和界面能与界面稳定性的关系的理解。由组分过冷的公式 出发，谈谈可采取哪些措施来避免组分过冷的出现。其中：G是固液界面前熔体中的温度梯度，v是生长速率，m是液相线的斜率，CL是溶液中溶质的平均浓度，ko是溶质的平衡分凝系数，D是溶质在溶液中的扩散系数。在直拉法生长晶体时，晶体旋转对温度梯度有何影响？列举组分过冷的害处？ 试推导球状晶核的形成能和临界半径。试简单解释存在临界半径的物理原因 薄膜生长有几种生长模式？与哪些因数有关？并请具体描述一下这几种生长模式。试分别从晶格失配与键合能的角度作一定性的讨论。 请分别介绍一下邻位面的生长机制、光滑界面的生长机制、粗糙界面的生长机制？它们的生长方式有何特点？光滑界面向粗糙界面转变的物理机制？ 如果位错群是很多间距甚小的异号位错对，则其动力学生长机制是什么？为什么存在第二临界过饱和度s2？ 11． 一、相图纠错；二、相图填充。标出三相点的位置，并指出三相点的类型。 一、相图纠错，并说明理由 二、相图填充（请将图中空的区域填上适当的相）。请标出三相点的位置，并指出三相点的类型。 ? ? 下图为BaB2O4-Na2O赝二元系相图。请找出其三相点及其该三相点的名称。如欲制备BaB2O4晶体，请说说该如何配料？该采取什么方法生长？并简要说明其理由。 由杰克逊界面理论，界面的微观结构与哪些因数有关？ 如何理解溶质和潜热沿界面“扩散不足”能使界面趋于稳定？ 研究界面稳定性应遵循的几个原则。 就你所知，相图有什么用处？试举例说明之。 溶质保守系统中，如考虑溶质的扩散效应，稳态溶质边界层建立前晶体中的溶质分布为 溶质保守系统中，如考虑溶质的扩散效应，稳态溶质边界层建立前晶体中的溶质分布为: 两者的表达式在形式上是一样的。已知利用公式(2)可进行溶质提纯，问利用公式(1)能否进行溶质提纯？为什么？在航天器上呢？为什么？ 溶质的分凝系数可表示为： SiO2的熔点为17130C，LiNbO3的熔点为12500C。如果将SiO2作为溶质掺入LiNbO3中，请你根据上式估计一下其分凝系数是大于1还是小于1。并说明理由。实际测到的分凝系数为0.5，与你估算的是否一致？为什么？ 19．考虑某个晶体的