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半导体三极管 6.1 半导体三极管 放大电路 6.2 共射极放大电路 6.3 共集极和共基极放大电路 6.4 多级放大电路 6.5 放大电路的频率响应 6.6 功率放大电路 6.7 场效应管及其放大电路 6.8 差动放大电路 本章主要内容 第六章 放大电路基础 6.7 场效应管及其放大电路 N沟道（相当于NPN） P沟道（相当于PNP） 增强型 耗尽型 N沟道（NPN） P 沟道 （PNP） N沟道（NPN） P沟道 （PNP） （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 6.7 场效应管及其放大电路 一 结型场效应管（N沟道） D S G N N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 在漏极和源极之间加电压，N 型半导体中的多数载流子（电子）可以导电。 N 6.7 场效应管及其放大电路 一 结型场效应管（N沟道） P+ P+ S d =0 g a 当uGS=0时 1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用 沟道无变化 N 6.7 场效应管及其放大电路 一 结型场效应管（N沟道） P+ P+ S d =0 g 1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用 b UGS(off)uGS0 PN结加宽 导电沟道变窄 + - N 6.7 场效应管及其放大电路 一 结型场效应管（N沟道） P+ P+ S d =0 g 1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用 PN结合拢 导电沟道夹断 c 0 uGS=UGS(off) UGS(off)—— 栅源截止电压或夹断电压 – + 6.7 场效应管及其放大电路 一 结型场效应管（N沟道） N 6.7 场效应管及其放大电路 一 结型场效应管（N沟道） P+ P+ S d =0 g 2．uGS=0时，uDS对沟道的控制作用 a 0uDS|UGS(off)| – + uDS 沿沟道有 电位梯度 沿沟道 反偏电压不同 预夹断 N 6.7 场效应管及其放大电路 3．当uDS ≥0时，uGS(≤0）对沟道的控制作用 一 结型场效应管（N沟道） P+ P+ S d g – + + - a. uDS和uGS将一起改变沟道的宽度 c.当uDG=|UGS(off) | 时沟道出现预夹断 b.PN结在漏极端的反偏电压最大 uDG= uDS–uGS 6.7 场效应管及其放大电路 一 结型场效应管（N沟道）
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