半导体工艺验实报告.docxVIP

离子注入：将加速?到一定高能量的离子束?注入固体材料表面层内?，以改变表面层物理和?化学性质的工艺。在半?导体中注入相应的杂质?原子（如在硅中注入硼?、磷或砷等），可改变?其表面电导率或形成P?N结。离子注入掺杂?的优点是:①离子注?入可通过调节注入离子?的能量和数量，精确控?制掺杂的深度和浓度。?特别是，当需要浅PN?结和特殊形状的杂质浓?度分布时，离子注入掺?杂可保证其精确度和重?复性。②离子注入的?杂质分布准直性好(即?横向扩展小)，有利于?获得精确的浅条掺杂，?可提高电路的集成度和?成品率。③离子注入?可实现大面积均匀掺杂?并有高的浓度。④离?子注入不受化学结合力?、扩散系数和固溶度等?的限制，能在任意所需?的温度下进行掺杂。?⑤离子注入可达到高纯?度掺杂的要求，避免有?害物质进入半导体材料?，因而可以提高半导体?器件的性能。23.?125?9?15扩散：?热氧化工艺：热氧?化法是在高温下（90?0℃-1200℃）使?硅片表面形成二氧化硅?膜的方法。热氧化的目?的是在硅片上制作出一?定质量要求的二氧化硅?膜，对硅片或器件起保?护、钝化、绝缘、缓冲?介质等作用。硅片氧化?前的清洗、热氧化的环?境及过程是制备高质量?二氧化硅膜的重要环节?。影响氧化速率的因?素：?氧化温度、硅?片晶向、掺杂杂质浓度?、氯化物、氧化剂分压?24.12?712?氧化：热?氧化工艺的原理就是在?硅衬底上生成高质量的?二氧化硅薄膜。热氧化?工艺分为干氧氧化和湿?氧氧化热氧化是高温?工艺。在高温下，一开?始是氧原子与硅原子结?合，二氧化硅的生长是?一个线性过程。大约长?了500?之后，线性?阶段达到极限。为了保?持氧化层的生长，氧原?子与硅原子必须相互接?触。在二氧化硅的热生?长过程中，氧气扩散通?过氧化层进入到硅表面?，因此，二氧化硅从硅?表面消耗硅原子，氧化?层长入硅表面。随着氧?化层厚度的增加，氧原?子只有扩散通过更长的?一段距离才可以到达硅?表面。因此从时间上来?看，氧化层的生长变慢?，氧化层厚度、生长率?及时间之间的关系成抛?物线形。25.1?15?10?硅化物：某些金属?（如锂、钙、镁、铁、?铬等）和某些非金属（?如硼等）与硅形成的二?元化合物。一般是晶体?，有金属光泽，硬而有?高熔点。一种金属或非?金属能生成多种硅化物?。如铁能生FeSi、?FeSi2、Fe2S?i5、Fe3Si2、?Fe5Si3等。可由?金属（或非金属）氧化?物或金属硅酸盐用硅在?电炉中还原而得。金属?硅化物以其优异的高温?抗氧化性和导电、传热?性获得广泛的应用2?6.16?淀积：与氧化不同，?淀积专指薄膜形成过程?中，并不消耗硅晶圆片?或衬底材质本身。薄?膜淀积工艺涵盖了晶圆?片表面以上部分的所有?层的制备和产生，目前?已经发展为物理气相淀?积和化学气相淀积两个?方向27.11?9?19刻蚀：?刻蚀指的是把未被抗?蚀剂掩蔽的薄膜层除去?，从而在薄膜上得到与?抗蚀剂膜上完全相同图?形的工艺。在集成电路?制造过程中，经过掩模?套准、曝光和显影，在?抗蚀剂膜上复印出所需?的图形，或者用电子束?直接描绘在抗蚀剂膜上?产生图形，然后把此图?形精确地转移到抗蚀剂?下面的介质薄膜（如氧?化硅、氮化硅、多晶硅?）或金属薄膜（如铝及?其合金）上去，制造出?所需的薄层图案。刻蚀?就是用化学的、物理的?或同时使用化学和物理?的方法，有选择地把没?有被抗蚀剂掩蔽的那一?部分薄膜层除去，从而?在薄膜上得到和抗蚀剂?膜上完全一致的图形。? 刻蚀技术主要分为干?法刻蚀与湿法刻蚀。干?法刻蚀主要利用反应气?体与等离子体进行刻蚀?；湿法刻蚀主要利用化?学试剂与被刻蚀材料发?生化学反应进行刻蚀。?3?514?通孔互联：?互连线是指连接两个?元器件之间的传输线，?分为短线、中长线和长?线13?集成工艺：集成电?路工艺是把电路所需要?的晶体管、二极管、电?阻器和电容器等元件用?一定工艺方式制作在一?小块硅片、玻璃或陶瓷?衬底上，再用适当的工?艺进行互连，然后封装?在一个管壳内，使整个?电路的体积大大缩小，?引出线和焊接点的数目?也大为减少。28?光刻：光刻?是通过一系列生产步骤?，将晶圆表面薄膜的特?定部分除去的工艺。在?此之后，晶圆表面会留?下带有微图形结构的薄?膜。通过光刻工艺过程?，最终在晶圆上保留的?是特征图形部分。常?用的曝光方式分类如下?：接触式曝光和非接?触式曝光的区别，在于?曝光时掩模与晶片间相?对关系是贴紧还是分开?。接触式曝光具有分?辨率高、复印面积大、?复印精度好、曝光设备?简单、操作方便和生产?效率高等特点。但容易?损伤和沾污掩模版和晶?片上的感光胶涂层,影?响成品率和掩模版寿命?,对准精度的提高也受?到较多的限制。一般认?为，接触式曝光只适于?分立元件和中、小规模?集成电路的生产