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低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究.pdf
第 卷 第 期 材 料 保 护 36 5 VoI . 36 No .5 年 月 2003 5 MATERIALS PROTECTION May 2003 !!!!!!! ! 试验研究 ! ! !!!!!! 低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究 , , , l 2 2 2 l 2 l 2 l 2 王传新 ,汪建华 ,马志斌 ,满卫东 ,王升高 ,康志成 ,吴素娟 ( 中国科学院等离子体物理研究所,安徽 合肥 ; l. 23003l 2 . 武汉化工学院湖北省微波等离子体化学与新材料重点实验室,湖北 武汉430073) [摘 要] 在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响。 实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于( )面显露,负偏压有利于 lll ( )面显露。在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于( )面显露;而高的气压和甲烷浓度有利于( ) l00 lll l00 面显露。过高的甲烷浓度将恶化金刚石质量,出现菜花状组织,无明显的晶面显露。 [关键词] 化学气相沉积;低偏压生长;金刚石薄膜;图像 [中图分类号] [文献标识码] [文章编号] ( ) TGl74 .4 A l00l - l560 2003 05 - 000l - 04 Growth Morphology of CVD Diamond Film under Low Bias Voltage , l 2 2 2 , , , WANG Chuan-xin WANG Jian-hua MA Zhi-bin , , l 2 l 2 l 2 , , , MAN Wei-dong WANG Sheng-gao
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