单片机系统中的Flash存储器及其数据管理方法.pdfVIP

单片机系统中的Flash存储器及其数据管理方法.pdf

  1. 1、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
维普资讯 虱聊I强 蜀I两阿 佰息技术与佰息亿 单片机系统中的Flash存储器及其数据管理方法 FlashMemo~ andItsDataMnaagingMethodinMCU-BasedSystem 王贤勇 WANGXian-yong Abstract HardwareinterfaceandsoftwareprogrammingofFlashMemoryinMCU—basedapplications,organization of massdatanadadat bufferingtechnologyforimprovingsystem performancealediscusesd.Asna example,practical schematicdiagram nadrelatedimplemenattionsareprovidedusingW29C040RashMemory IC. Keywords FlashMemory MCU Memory extension Databuffering 256字节,如果要改变某一页中的某个数据,则需将整页的数 1 Hash存储器介绍 据都写入芯片,否则 ,本页的其他数据将在写操作过程 中全 Flash存储器是近年由Intel率先研制推出的一种新型存 部被 “0tth”(十六进制)填充。写操作是从将 CE脚和WE脚 储器,存取速度很快,而且容量相当大。它是在 EPROM和 置为低电平 、OE置为高电平开始的。写操作包括两个周期: EEPROM的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失 字节载入周期和内部写周期。字节载入周期就是将整个页 性存储元件 内部数据在不加电的情况下能保持 10年之 的数据载入芯片的页缓冲区;内部写周期就是将页缓冲区中 久,又可快速将信 息擦除后重写 (可反复擦写几十万次之 的数据同时写入存储单元阵列以实现非易失存储。 多),而且可以实现分块擦除和重写 、按字节擦除和重写,有 CE 很大的灵活性。兼备非易失性、可靠性、高速度、大容量和擦 DQO 0E 写灵活性使得 Flash存储器得到很大欢迎 ,从微机到单片机, W E DQ7 从计算机到消费类电子产品(如 MP3播放器等),都有它的应 用。在单片机系统中使用 Flash存储器 ,可以有效地将单片 机系统的灵活性和大容量存储结合起来 ,用简单的设计完成 AO 复杂的任务。 A18 本文 以流行 的MCS-51系列单片机和 Winbond公司的 W29C040为例,介绍接 口方法和编程应用 以及数据管理方 图 1 W290C40结构框 图 法 。 W29C040有 512K×8位存储容量,按页组织,每页256字 在字节载入周期,地址在 CE和WE 二者中最迟的一个 节。+5V电压就可完成擦除或编程写入操作。写入速度快 下降沿锁存 ,数据在 CE和WE 二者中最早的一个上升沿锁 且功耗低 ,写一页数据的时间为5ms,写一个字节的典型时间 存。如果在典型的字节载入时间(TBLC)之 内载入下一个字 周期为 19.2tts;读取时间根据具

文档评论(0)

人生新旅程 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档