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维普资讯
虱聊I强 蜀I两阿 佰息技术与佰息亿
单片机系统中的Flash存储器及其数据管理方法
FlashMemo~ andItsDataMnaagingMethodinMCU-BasedSystem
王贤勇
WANGXian-yong
Abstract HardwareinterfaceandsoftwareprogrammingofFlashMemoryinMCU—basedapplications,organization
of massdatanadadat bufferingtechnologyforimprovingsystem performancealediscusesd.Asna example,practical
schematicdiagram nadrelatedimplemenattionsareprovidedusingW29C040RashMemory IC.
Keywords FlashMemory MCU Memory extension Databuffering
256字节,如果要改变某一页中的某个数据,则需将整页的数
1 Hash存储器介绍
据都写入芯片,否则 ,本页的其他数据将在写操作过程 中全
Flash存储器是近年由Intel率先研制推出的一种新型存 部被 “0tth”(十六进制)填充。写操作是从将 CE脚和WE脚
储器,存取速度很快,而且容量相当大。它是在 EPROM和 置为低电平 、OE置为高电平开始的。写操作包括两个周期:
EEPROM的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失 字节载入周期和内部写周期。字节载入周期就是将整个页
性存储元件 内部数据在不加电的情况下能保持 10年之 的数据载入芯片的页缓冲区;内部写周期就是将页缓冲区中
久,又可快速将信 息擦除后重写 (可反复擦写几十万次之 的数据同时写入存储单元阵列以实现非易失存储。
多),而且可以实现分块擦除和重写 、按字节擦除和重写,有
CE
很大的灵活性。兼备非易失性、可靠性、高速度、大容量和擦 DQO
0E
写灵活性使得 Flash存储器得到很大欢迎 ,从微机到单片机, W E DQ7
从计算机到消费类电子产品(如 MP3播放器等),都有它的应
用。在单片机系统中使用 Flash存储器 ,可以有效地将单片
机系统的灵活性和大容量存储结合起来 ,用简单的设计完成 AO
复杂的任务。 A18
本文 以流行 的MCS-51系列单片机和 Winbond公司的
W29C040为例,介绍接 口方法和编程应用 以及数据管理方 图 1 W290C40结构框 图
法 。
W29C040有 512K×8位存储容量,按页组织,每页256字 在字节载入周期,地址在 CE和WE 二者中最迟的一个
节。+5V电压就可完成擦除或编程写入操作。写入速度快 下降沿锁存 ,数据在 CE和WE 二者中最早的一个上升沿锁
且功耗低 ,写一页数据的时间为5ms,写一个字节的典型时间 存。如果在典型的字节载入时间(TBLC)之 内载入下一个字
周期为 19.2tts;读取时间根据具
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