高性能ZnO纳米块体材料的制备及其.pdfVIP

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第 55 卷 第 7 期 2006 年 7 月 物  理  学  报 Vol. 55 ,No. 7 ,July ,2006 ( ) 10003290200655 07 376006 ACTA PHYSICA SINICA 2006 Chin. Phys. Soc. 高性能 ZnO 纳米块体材料的制备及其 拉曼光谱学特征 ) ) ) ) ) ) ) ) 秦秀娟1 2  邵光杰1  刘日平1  王文魁1 3  姚玉书3  孟惠民2 1) ( 燕山大学亚稳材料科学与技术重点实验室 ,秦皇岛 066004) 2) ( 北京科技大学材料学院 ,北京 100080) 3) ( 中国科学院物理研究所,北京 100080) ( ) 2005 年 12 月 14 日收到;2006 年 2 月 8 日收到修改稿 ( )   利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的 ZnO 块体材料 ,用 MDIJADE5 X 射线衍射仪 Cu 靶 和 XL30SFEG 场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征. 利用 E55 + FRA1065 傅 里叶变换激光拉曼光谱仪通过 ZnO 块体样品位于 50 —500cm- 1 之内的拉曼光谱 , 研究了极性半导体纳米材料的拉 曼光谱学特征. 发现在极性半导体 ZnO 纳米块体材料中 ,没有出现明显的尺寸限制效应. 关键词 : ZnO 纳米块体 , 拉曼光谱 , 尺寸限制效应 PACC : 8120E , 8140 , 8140R ( 级的 ZnO 块体材料 ,用MDIJADE5 X 射线衍射仪 Cu ) 1 引 言 靶 和 XL30SFEG 场发射扫描电子显微镜对高压样品 的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征. 自1968 年日本松下电器公司研制成功以氧化 拉曼光谱学能给出丰富的有关晶态状况以及元 锌为主体的陶瓷压敏电阻器以来 ,氧化锌陶瓷压敏 激发的结构和运动、晶体缺陷和相变等信息 , 已经 电阻器的研究和应用得到了迅速发展, 已广泛应用 成为研究材料微结构的便捷手段之一[5 ,6 ] . 在纳米体 于电子、信息、自动化、半导体器件和航天器件等领 系中 , 尺寸限制效应是它的基本效应之一 ,尺寸限 域. 与传统的碳化硅、硒和硅等压敏电阻相比 , ZnO

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