mos管上管的驱动2（9.21）.pdfVIP

今天继续讲上管驱动

对于上MOSFET的驱动来说有了自举电容供电后那电路的设计应该可以

一步一步往前推了是吧。我们说MOSFET前面应该是什么器件啊？应该是栅极电

阻，还有下拉电阻是吧，再往前是三级管的控制是吧，接着就是再前级的控制了。

这个电路的供电是由哪个电容提供的啊，C1，那放电的源是哪个电容啊？GS，

也就是说C1负责充电GS电容否则放电是吧，那么我们看下，当上管导通后

Q3的C极的电压是不是120V啊。那Q4的C极电压应该也是120V是吧，那Q4

的驱动信号应该怎么给呢？低是不是0V啊，那Q4的E极电压应该也是120V是

吧，那Q4的B极是低0VE极是120V那这个管子会不会坏啊？我们说控

制信号应该是站在地上的是吧，比如控制信号是单片机发出的，那单片机的地

是跟电源地接在一起的，单片机既要控制下MOSFET的导通也要控制上MOSFET

的导通是吧，单片机是不是上下MOSFET都要控制啊？那这个单片机的地应该跟

电源的地共地是吧。

那么这个图的话是无法直接控制的是吧。

这个图的Q4是站在地上的是吧，Q4的导通只要0.7V就可以了是吧，那单

片机是可以控制的吧，但电容负极不应站在地上，应该站在桥臂中点，自举电容

的地应该接在哪里啊，应该是桥臂的中心点，那么Q4的关闭应该是MOSFET

的导通是吧，反之Q4的导通是MOSFET的关闭是吧，那么我们看下Q4的导

通和关闭应该是可以正常实现的是吧。

MOSSFET的导通回路是不是这样的啊?那此时A点的电压是多高啊？MOSFET

的开通的源是不是自举电容啊，那回路是不是从源的正出发最终回到源的负端。

不考虑MOSFET的下拉电阻应该有两个回路是吧。

这个图呢？二极管这里还需要加限流电阻是吧。源的回路是对的。

我们看下这个图啊，接下来我们他讨论下A点的电压是多少，在上MOSFET

导通的时候，225v是吧。那理论上讲A点到地的这个N三极管是不是应该是耐

高压的啊。

那我们看下当Q1三极管导通的时候，这个Q1的Ic电流是多大啊？电压是

不是225V啊，回路阻抗不考虑三级管的话是不是10K啊，电流就是22.5MA。

是不是图中粗线的回路啊？当Q1导通的时候，那这样的话这个回路电流

是很大的是吧，而本质上我们是需要控制这里的电流不能太大是吧，如果Vbus

的电压是24V100V200V310V那么这里的电阻值是不无法选取了，

电阻R3的值是不是很难选取啊。

我们详细分析一下这个电路的结构，这个电路MOSFET的开通是不是依赖

这个R3上拉电阻来执行MOFET的开通动作啊，由于自举电容是15V的，开通的

三极管的Ib电流是不是需要1毫安啊。那么这个电阻R3的阻值只能在10K到

15K之间是吧。

我们把驱动电路装在一个水桶里可以把，这个水桶的水位只有15V，不管水

桶被吊到多高，我们的驱动电路的内部是不是只有15V啊。驱动电路的地是自举

电容的地，这个地对电源地的绝对电压是在变化的是吧。我们把这个自举电容的

地叫做浮地，好比我们坐电梯，电梯有内部有个地吧，我们上管打开的时候，等

效我们电梯升高到120米了，上管关闭的时候我们电梯降落到地面了。那

么电梯的内部的地面是浮地，楼房的一楼的地面是电源地，这两个地在电梯升

高的过程中或者升高到最高的位置，电梯内部的地跟一楼的地是有电势差的。

那么对于MOSFET的开通是不管电梯在哪个高度的是吧，MOSFET的GS只管

这个GS电压有没有高于开通的阈值电压是吧。只有下管导通的时候电梯的地

才能跟地面的地是一个水平面的是吧。那么电梯是可以封装在一个轿厢内的是

吧，我们能不能把这个上管的驱动电路进行封装啊。

问：自举电容要站在210V上才能给GS电容充电，那GS电容没有充电上管的S

又怎么有210V，自举电容又怎么能站在210V上？

答：这个是逻辑问题了先有自举电容的充电才有执行上管的导通。

我们看图，框内的部分是可以进行封装的是吧？也就是不管在什么情况

下框内的电压是一个15V左右的低压是吧，也就是说框内是不需要高压器件

的是吧，只需要低压器件就可以了是啊，但是框外的器件可能就需要高压器件了

是吧。

图中的Q1是不是需要高压器件啊，我们继续分析图中的R3值好吧，R3的

值我们说了需要在10K到15K之间是吧，因为对于