mos管前级驱动电路设计 （9.2）.pdfVIP

MOSFET的前级驱动电路的设计

我们今晚开始学习MOSFET的前级驱动电路的设计，也就是从今晚开始我

们开始进入到电路设计部分了。那么在进入电路设计前我们先总结一下电路设

计需要掌握的几个要点好吧。

第一：需要理解源回路阻抗这个知识。

源：就是分析电路的时候需要先找到源，电流是从源的正极出发最终回

到源的负极。

回路：顾名思义就是完整的回路闭环，断路了就没有分析的必要了。

阻抗：就是从电气安全角度来看的需要适当的回路电流回路中的

器件才能安全工作。

第二：我们需要理解斜率的概念，斜率在电路中主要表现为电压斜率dv/dt，电

流斜率di/dt。这个是代表器件的开关速度是吧。斜率越大器件承受的冲

击是不是也越大啊，也就是说这个会应影响器件的寿命是吧。

Emc：在EMC方面这个也是电磁兼容的源是吧。我们说一个标准的正弦波

是基波，那么方波跟正弦波进行重合的时候，是不是多出来的或者少出来的

部分都含有丰富的谐波分量啊，这些丰富的谐波分量就是EMC的源，而斜率

越陡是不是越接近方波啊，谐波分量也越丰富是吧。因此我们需要减缓这个

斜率是吧。

问：这些谐波分量为什么不是EMI的源？

答：EMC包括EMI，EMI更多的是谈辐射，还有传导部分，加起来是EMC。

第三：就是内阻的概念，内阻分析法是电路设计和分析的根本，也是节点分析法

的根本，每个电路都有节点是吧，也就是有节点波形是吧。我们测试电路分

析电路波形是不是分析的是节点波形啊，那么节点是不是存在内阻啊？每个

节点都可以代表一个源是吧，既然节点可以理解为源，那这个源是不是有内

阻啊，这个内阻越大是不是代表往后输出能力越弱啊，内阻越小代表输出

的电流能力越强是吧。

然后我们才能理解内阻的分压，才能理解节点的电压幅值是吧。另外我们

需要理解一条，回路中不同的节点的波形可能是不一样的，具体主要受节点

处的器件来决定的是吧。举个例子：内阻是1K，跟后极的1K到地，或者1K

的内阻跟10K的后极负载对地，请问这个节点的电压幅值一样吗？

请问A点对源的内阻是多大啊？1K。

请问A点和B点的电压分别为多少啊?12V，6V,AB点对源的内阻是不是

都是一样的1K啊,但是他们往后接的负载是不一样的吧。那么节点的电压幅值

是不是有区别啊，这个区别是不是主要由后极负载内阻决定的啊，所以在节点处

我们既要看到，这个节点对源的内阻，也到知道他对后极输出电流的能力是吧。

从电流角度出发是不是也可以看这个节点往后极输出的电流啊。很明显A

点对后极输出的电流小是吧，而B点对后极输出的电流大是吧，所以他们的节点

电压幅值也不一样。

第四：每个节点的波形与节点的接的器件是有关的。

此时A点的电压幅值是多少啊？0.7v，为什么电压变了，是不是由二极管作

用决定的啊。

看下B点的电压是不是也变了，那也是由于节点处的器件变了是吧。

请问上电过程中B点的波形是不是也变了，是不是有了一个上升过程啊？最

后在5.6V的时候被钳位了是吧？所以说每个节点的器件最终决定了节点的波

形是吧。那么我们是不是可以说：看到节点处有缓慢拐角上升的波形就可以反

推出此节点处有电容存在呢？

问：我理解是，器件导通电流的能力决定波形的吧？

答：不是的。还与器件的特性有关。如果只是与器件的导通的电流能量决定

的话，那可以用不同阻值的电阻来等效了。但是我们发现你只用电阻的

话，波形是固定的，只是幅值有变化。

如果不被钳位的话会出现大拐角的。如果对电容的充电电流保持不变，那么，

电容的电压上升是不是一个线性的上升啊？

但是如果对电容的充电电流越来越小，那么，电容的电压上升是不是增加的

越来越缓慢啊。那么这个上升的斜率是不是在不断变缓啊？那是不是最后有个大

拐角啊？

初始上电，电容的电压为0V的时候，那12V源，对电容的充电电流多大啊？

12ma，电容跟电阻是串联的，那电阻的电流就是电容上的电流是吧。电阻上的电

流就是电阻两端压差除以阻值。

那容上的电压在6V的时候呢？是不是降为一半了？

最终电容