电路设计4栅极电阻 （9.15）.pdfVIP

栅极电阻

上节课我们讲到MOSFET的几个前级电路的驱动的优缺点分析是吧。

这个图的特点是什么啊？这个电路跟之前的比较是不是省去了一个推挽上

面的N管啊，那我们继续看这个电路既然有拖尾那还可以进一步优化吗？我们

说P管之所以放电有拖尾肯本原因是什么啊？GS电容电压变小，P管IB电流减

小，Vgs在下降是共同因素，还有一个是Ib在减小Ic在减小，就是放电回路阻

抗在变化是吧，而且是在增大，我们是在放电过程中是不能改变Vgs的源是吧，

只能改变回路阻抗是吧。

那我们要想Ic通电流能力不太下降，那实际上是Ib的电流不能下降是吧，

而图中的P管的Ib的电流是由Vgs决定的是吧。

Vgs在下降那Ib必然会下降是吧？那怎么才能使得Ib不下降呢?是不是这

个Ib电流的源不能由Vgs提供啊,那只能外电源来提供了是吧?那么我们是不

是想到了N管啊?N管的Ib电流可以由前级驱动信号来提供是吧,如果前级驱动

信号为高N管的b极的电阻不变那么N管的Ib就不变是吧。

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这个图是不是有点像推挽啊?那么推挽是上N下P这里是反过来的是吧？那

这个图我们分析过的，是不是有问题啊?存在上下管直通的情况是吧,那就直接会

损坏三极管,是上管坏呢还是下管坏呢？都有可能谁先扛不住谁先坏，这个时候

另外一个就不会坏了，一般是一个管子坏这种现象十分普遍。

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这个图大家分析一下，分析的顺序是什么啊，是不是先分析开通，后分析放

电啊。那大家先分析开通看看有没有问题，这个电路的核心器件是MOSFET开

通本质上是对GS电容充电是吧，那需要有充电回路是吧。而充电回路中的开关

是Q1这个开关管P吧。

而充电回路中的开关是Q1这个开关管P吧，N管Q4需要关闭是吧，那接下

来是不是需要进一步讨论前级的逻辑啊，而要想P管的Ib电流通的话是不是

需要Q2N管的Ic电流通啊？我们看到Q2的B极是接的3.3V的源是吧，那只有

在Q2的E极为低的时候才有Ib电流是吧。

先分析回路通与不通，再分析回路阻抗，分析电路先分析稳态，再分析瞬态，

按照这个思路下来，你分析电路的时候是不会出现漏掉的情况。稳态就是逻辑为

高或者逻辑为低，而不是由低到高或者由高到低的过程。

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要想Q2导通是不是Q2的E极需要为低啊，那么这里实际上是最前级的驱动

逻辑为低的时候MOSFET开通是吧，那这个电路是反逻辑的是吧。那么在开通

的时候，我们需要放电回路是关闭不通的是吧。那Q2的E极为低的时候，这个

放电回路通吗？不通的，Q2的E极为低，那Q4的B极为低是吧？那Q4是不通

的因此放电回路是没有的是吧。

问：反逻辑是指低为导通？

答：正逻辑是输入为高，输出为高，这里反逻辑是输入为低，输出为高。

要想开通的话需要对MOSFET的GS电容进行充电，那么就需要有充电回路，

那么就需要P管Q1的Ic导通。进而需要P管Q1的Ib导通，那么就需要Q2的

Ic导通，这个时候就需要Q2的Ib导通。

因为Q2的B极接的3.3V（高），因此就需要E极为低才会有Q2的Ib电流，

最后在MOSFET开通的时候需要放电回路是关断的。这个时候在Q2的E极为低

的时候需要放电回路关闭而图中Q4正好是关断的。

我分析的思路是什么顺序啊？是不是由核心的后极器件往前推的啊，为什么

我会有这样的一个分析顺序呢？因为我们从无到有设计电路的时候，是不是由后

极往前级设计的啊。思路是需要什么就加什么是吧。

刚才是不是分析的稳态啊？那我们接下来是不是需要分析开通时候的回路

阻抗了。

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红色回路的阻抗是有问题的是吧，在回路中没有串电阻吧，我们要的是上面

P管的Ib电流是1毫安左右吧，那这个回路电阻加在哪里？串多大啊？串