GS充放电的设计2 （9.7）.pdfVIP

今天继续讲GS的充放电回路

上节课老师讲了用N管来充电驱动MOS管，大家发现没有，当VGS电压上

升过程中，N管的基极电流是不是越来越小？如果我们希望快速开通，那么我们

实际上是不希望这个充电电流变得越来越小的，那么我们改用P管来充电会不

会改善这个问题呢？

先讨论N管为什么基极电流会变小，当VGS电压上升时，Q9的基极电压是

不是也会跟着上升？随着Q9基极电压的上升，流过电阻R8的电流是不是越来越

小？Q9的基极电流是不是由流过电阻R8的电流来提供？

B极电压越来越高，那么和15V的压差越来越小，那结果是不是基极的电流

越来越小。

我们继续讨论P管充电电路。

对于这个充电电路，充电电流会不会变小呢？首先P管的基极电流会不会有

变化，ICIB*β。那么这种情况下充电电流不会因为基极电流而减小。

相对而言全程范围内，充电电流会比N管要大。当然N管和P管充电都是可行的，

我们只是分析它们之间的差别。N管基极电流越来越小Ic越来越小等效

CE内阻越来越大，P管是基极电流不变，ce内阻不变,电流大小取决于负载。

问：N管是CE电阻越来越大，P管CE电阻则不会变，所以充电源电流则不变这

个理解对吧？

答：对的。

问：哪种电路比较常用呢老师？

答：相对而言，图腾柱用得比较多。

我们继续看电路，那么这个P管充电电路如何关断呢？Q211的基极为低的

时候，P管关断关断是不是很慢呢，MOSFET关断，需要重新建立回路快速放电。

那想要快速关断，应该怎么处理呢？需要重新建立一个放电回路，那这个放电回

路应该怎么建呢？我们是不是可以在放电的时候使用N管或者P管对R221短

路。

随着VGS电压的降低，放电P管的基极电流也会逐渐减小，放电电流也会逐

渐减小。这个N管放电，放电电流比P管放电要好。

这就是电路充放电回路。

这个电路很好，我们一起来看一下，当输入逻辑为低时。

图中的两个管子会导通，此时的放电N管是不是处于关闭的状态？

这样就实现了MOS管开通功能，那接下来我们再看，当输入逻辑为高的时候。

图中的两个管子是什么状态呢?关闭状态。

那图中的这个放电管是不是打开了呢？

这个输入逻辑电平是我们人为假设的，一般由单片机IO口提供，单片机软

件控制IO提供一个逻辑电平状态。

刚才我们说了高和低两种情况，我们再来看第三种情况，我们假设输入电平

低为0V，高为3.3V。

那么当输入电平，从0V上升到3.3V的过程中，假定此时为2V，那么这个

时候3个管子是什么状态呢？BE压差是1.3v，Ib是不是就存在，Ib存在了是

不是Ic就存在，三极管同时导通，但是这个导通时间会非常短，为这个上升沿

会很快。通常这个沿是ns级的。

问：单片机口输出不是直接数字电平的吗不会像模拟那样慢慢上升得把？

答：没有绝对的突变，从低到高也有上升沿，只是这个上升沿时间长短的问题。

右边两个管子导通的时候，中间有一个100R电阻会起到限流作用，不会引

起直通。