GS电容的充放电回路 （9.4）.pdfVIP

GS电容的放电回路

放电的话是不是源是GS电容啊，回路阻抗是不是也需要小啊，而且是需要

从E到B然后到地的是吧，那大家想想看什么器件可以实现从E到B的流动啊？

还要同时具有电流放大作用，需要P管。

放电的时候E点对地的电流也是百毫安是吧，就是说对地内阻很小，实现快

速放电是吧。那么接下来我们是不是需要设计B级电路了，如何让P管导通呢？

是不是B极的电位需要为低啊？如何让N管导通呢？是不是B极的电位为高啊，

也就是说B极需要的是高低电平这样就实现了N管通还是P管通是吧，我们

知道了B极是需要一个高低电平，实际上就是一个方波信号是吧。

那么在B极需要设计一个有幅值的开关信号是吧，这个开关信号就是方

波方波的幅值需要多高呢。我们想想看：充电的时候幅值是不是需要接近

15V的电压啊这样GS的电压才能上的去是吧。也就是说充电的时候E点的电

压是接近15V，而N管是跟随的是吧。那么B极的电压幅值是不是需要15V啊。

这样的话E点电位才能是14.3V是吧？那么放电的时候，需要B极的电压是接

近0V的是吧。这样GS的源才能尽可能的放的干净是吧。那么我们怎么才能实现

这个开关信号呢？

我们说一个开关管是不是可以实现啊，我们先看开通，开通的话需要B

极为高接近15V，那么是不是可以用一个上拉电阻接到15V的源啊。充电的时候

GS的电压需要尽可能的充到接近15V是吧，那E点的电压是不是需要接近15V

啊。

看图由于我们只有15V的源，那么B点是15V了，E点是不是15V，减去0.7V

啊？那么只讨论开通的情况，我们在B点是不是可以接个上拉电阻到15V啊。

我们看R3这样接是不是可以啊。

那我们怎么实现低的信号呢？还要有开关作用，如果直接上拉的话，那电路

是一直处于开通状态下把。然后我们想到了，三极管是具有开关作用的是吧，通

和不通两态是吧。而三级管饱和导通后CE压降是多少伏啊？0.3V是不是接近

0V啊？可以认为是一个低信号是吧，那么这里应该是用N管还是P管呢？我们

说这里是不是需要做一个低电平信号啊，也就是说饱和导通后，C点的电位是

不是需要0.3V电压啊。那CE压降是不是0.3V啊？我们需要的C点对地的绝对

电压需要的是0.3V是吧。我们需要的C点对地的绝对电压需要的是0.3V是吧，

那E点是不是需要接地啊。E点接地，CE压降需要0.3V，那是不是这个管子是N

管啊。

我们前面讲过N管的饱和导通的条件和特征是什么啊？N管饱和导通的条

件：E接地Ib电流1毫安CE压降是0.3V是不是这个啊？那么我们说N管

的饱和开关是不是站在地上的啊？P管的饱和接法怎么接呢？P管作为饱和开关

用的话，是不是掉在电源上的啊？吊在电源上的，我们也叫高端开关。N管是站

在地上的叫做低端开关，P管是吊在电源上的叫做高端开关。

那么我们看图是不是需要N管做开关啊。

这个电路大家分析看看。

整个放电回路是怎么走的？我们分析是反过来的，这样是按照设计的思路走

的。我们先看MOSFET为中心，需要对其进行开通和关闭是吧？那么就需要开关

功能是吧，而三级管是具有开关功能的是吧。第二需要大电流进行充放电是吧。

那么三级管的Ic回路是具有大电流的功能是吧，所以对MOSFET的充电和放

电主要是三极管的Ic电路来完成的是吧。另外充电需要一个回路，放电也需要

一个回路是吧。他们的源是15V和GS是吧。因此充电的主回路是15V，三极管

的Ic，栅极电阻，到GS电容是吧。而放电的回路则是，GS源，栅极电阻，三级

管的Ic，到S极是吧。

那么接下来是不是需要对三级管的Ic进行开关控制啊。那要想控制Ic的开

关是不是需要控制Ib的开关啊？接下来是不是需要对B极进行开关控制啊，

那需要B极是一个方波信号是吧，然后需要知道这个方波的幅值是吧。

如果Q215不导通，那么，B点的电压稳态后是不是被上拉倒15V啊。那么

我们需要分别分析开通和关断两种状态是吧？先分析开通，那是不是Q215需要

关闭啊？Q215关闭的话是不是等效Q215的CE内阻无穷大啊。

看红色回路，10K和Rce分压后B点的电压是多少伏啊？15V，那么这个B

点的15V往15V源看内阻是多少啊？那15V除以10K是不是可以输出1.5毫安的

电流啊？也就是说N管的B极是可以有至少1毫安的电流是吧，那N管的Ic是

多大电流呢？那是不是可以说E点的节点的输出电流的能力可以至少是100毫