mos管上管的驱动4 （9.27）.pdfVIP

Mos管上管驱动4

大家看下这个图，看下红框内的R4电阻是不是可以去掉啊？那么为什么会

加这个电阻呢？主要不是从功能角度考虑的，我们说在高压上MOSFET管导通

的瞬间会有米勒效应是吧，这样的话是不是在MOSFET的栅极堆积了很高的

能量啊，这个能量是不是频率极高啊。频率极高的信号是不是可以通过器件的结

电容走啊。

我们说图中的Q3三极管和R5是不是组成了一个恒流源电路啊？那么我们

说恒流源之所以能够恒流，本质上是可以控制电流的变化起到稳定Ic电流

的作用是吧，那么，是不是要求控制的响应速度的能力要远远大于Ic电流的波

动的频次啊。也就是说一个速度更快的响应，才能控制速度慢的变化是吧，那

么三极管的响应速度是有限的是吧，如果MOSSFET的栅极上的能量的频次远远

高于三极管的响应速度那么这个恒流源是不是无法控制Ic电流的稳定啊。

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那么R4的存在是不是让到达三极管Q3的CE部分的电流的变化变缓了，这

样的话是不是三极管的响应速度够了，这里也是RC滤波的作用（C指的是Q3的

CE结电容），将信号源的斜率变缓了是吧。RC滤波后，沿变缓了，沿变缓了是

不是信号的频率变低了。

另外，我们说三极管是不是有三个结电容啊。BE，BC，CE是不是这三个啊，

那么高频的能量是不是在上端啊。

问：为什么能量会是高频呢？

答：凡事干扰的源一般都是含有丰富的高次谐波的。由寄生参数引起的干

扰，发生了高频振荡。

这个图的开关的关键是不是P管Q2的Ib电流啊，那么这个Ib电流应该

有源回路阻抗的是吧，那么这个Ib电流的源是哪个呢？这个Ib电流是不

是在上MOSFET导通的时候也要存在啊。那么是不是源只能是自举电容啊。

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对于自举电容的电压，我站在上MOSFET的S极来看，你说的312V是不对的，

但是你站在地上看，就是对的，所以我们不说绝对电压，只说压差。以后我们只

谈压差。压差是自举电容的两端的压降是吧。

那接下来我们看下这个Ib电流的完整回路好吧，那大家想想看我们看Ib

电流的回路实际上是有几个不同的状态的是吧，第一个状态：上MOSFET是没

有开通的是吧。

我们看这个图，假设现在需要开上管了，那在导通上管之前上管是不是

关闭的啊。那么我们是不是开始要导通上管了，要想导通上管，是不是需要先

有Q2的Ib电流啊。一个MOSFET的导通的完整过程是不是需要看GS电容的电

压啊，有几个状态啊？是不是三个状态啊？截止，平台放大，导通。

我们先讨论在在截止状态下三极管Q2的Ib电流好吧。

在这个状态下是不是上MOSFET的GS在充电啊，但是GS的电容的电压是低

于开启电压的是吧，我们先讨论GS电容的电压从0V充到MOSFET的开启电压

之前的这个过程好吧，那么在这个过程中是不是上管还没有导通啊。

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回路怎么画呢？是不是从自举电容的正出发回到自举电容的负端是吧？

我们看图，左边这条浅蓝线回路是从自举电容的正出发的是吧。

那么这个时候是能够传导电源地的是吧，如果左边不流到地的话那恒流源

三极管是不起作用的是吧，把恒流源三极管比作收费站，一个高速的收费站设计

的时候，在收费站旁边开一个免费通道，那么还会有车过收费站吗。所以设计的

时候要想控制这个Ib电流，是不是需要Ib电流全部经过这个恒流源三极

管这样才能控制这个Ib电流啊。

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我们继续看图，那么最终这个电流是要回到自举电容的负端的是吧？在图

中我们是不是需要来找这条到自举电容负端的回路啊。那么左边的恒流源的

地是不是连接到下MOSFET的S啊，接下来就要看下下MOSFET能否有通路回到自