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1+X集成电路理论模拟题及答案

一、单项选择题（共20题，每题2分，共40分）

1.本征半导体中，载流子的产生主要依赖于（）

A.施主杂质电离

B.受主杂质电离

C.晶格热振动激发

D.光照激发

2.PN结正向偏置时，耗尽层宽度会（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

3.以下哪种材料是集成电路制造中最常用的衬底材料？（）

A.玻璃

B.蓝宝石

C.单晶硅

D.多晶硅

4.光刻工艺中，决定分辨率的关键公式为R=kλ/NA，其中NA表示（）

A.曝光波长

B.工艺常数

C.数值孔径

D.掩膜版精度

5.双极型晶体管（BJT）的三个极分别是（）

A.源极、漏极、栅极

B.发射极、基极、集电极

C.阳极、阴极、门极

D.漏极、衬底、沟道

6.CMOS反相器中，P型MOS管和N型MOS管的连接方式为（）

A.并联

B.串联

C.交叉连接

D.独立接地

7.以下哪项不是化学气相沉积（CVD）的主要作用？（）

A.形成绝缘层

B.形成金属互连线

C.去除表面氧化层

D.沉积多晶硅栅极

8.衡量集成电路集成度的指标通常是（）

A.芯片面积

B.晶体管数量

C.工作电压

D.封装引脚数

9.阈值电压（Vth）是MOSFET的重要参数，其大小与以下哪项无关？（）

A.栅氧化层厚度

B.衬底掺杂浓度

C.沟道长度

D.源漏电压

10.集成电路设计中，逻辑综合的主要目的是（）

A.将行为级描述转换为门级网表

B.验证电路功能正确性

C.优化芯片布局布线

D.提取寄生参数

11.以下哪种工艺用于在硅片表面形成浅沟槽隔离（STI）？（）

A.离子注入

B.化学机械抛光（CMP）

C.磁控溅射

D.光刻显影

12.动态随机存储器（DRAM）的存储单元核心是（）

A.电容和MOS管

B.双极型晶体管

C.浮栅MOS管

D.电阻和二极管

13.以下关于集成电路测试的描述，错误的是（）

A.晶圆测试（CP）在封装前进行

B.成品测试（FT）需验证封装后的功能

C.测试覆盖率越高，漏检率越低

D.所有芯片只需进行功能测试，无需参数测试

14.为避免MOSFET的短沟道效应，通常需要（）

A.增加栅氧化层厚度

B.提高衬底掺杂浓度

C.减小沟道长度

D.降低源漏电压

15.以下哪种材料常用于制作集成电路的金属互连线？（）

A.金（Au）

B.铜（Cu）

C.银（Ag）

D.铅（Pb）

16.版图设计中，“DRC”指的是（）

A.设计规则检查

B.电路规则验证

C.版图与原理图一致性检查

D.寄生参数提取

17.以下关于光刻胶的描述，正确的是（）

A.正性光刻胶曝光部分会被显影液溶解

B.负性光刻胶分辨率高于正性光刻胶

C.光刻胶厚度不影响分辨率

D.光刻胶仅用于金属层图案转移

18.双极型集成电路与CMOS集成电路相比，主要优势是（）

A.功耗低

B.速度快

C.集成度高

D.抗干扰能力弱

19.以下哪项是衡量数模转换器（DAC）性能的关键指标？（）

A.截止频率

B.转换速率

C.信噪比（SNR）

D.跨导

20.集成电路封装的主要目的不包括（）

A.机械保护

B.电信号传输

C.散热

D.减小芯片面积

二、多项选择题（共10题，每题3分，共30分。每题至少有2个正确选项，多选、少选、错选均不得分）

1.半导体的导电特性包括（）

A.热敏性

B.光敏性

C.掺杂性

D.超导性

2.以下属于集成电路制造前道工艺（FEOL）的步骤有（）

A.光刻

B.离子注入

C.金属化

D.化学机械抛光

3.CMOS电路的主要优点包括（）

A.静态功耗低

B.噪声容限大

C.抗闩锁能力强

D.工作速度慢

4.影响MOSFET载流子迁移率的因素有（）

A.温度

B.栅氧化层材料

C.沟道掺杂浓度

D.源漏电压

5.以下关于离子注入的描述，正确的是（）

A.可精确控制掺杂浓度

B.需要高温退火修复