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1.PN结的形成漂移运动：在电场作用下，载流子的运动。→漂移电流扩散运动：同类载流子由于浓度差引起的运动。→扩散电流第30页，共41页，星期日，2025年，2月5日内电场少子的漂移运动P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－空间电荷区P(N)区中同类载流子浓度差多子的扩散产生空间电荷区（内电场）促进少子漂移扩散与漂移运动达到态平衡时，PN结形成阻止第31页，共41页，星期日，2025年，2月5日PN结的形成过程对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结(0.5μm~0.75mm),也称耗尽层,阻挡层,势垒区,内电场区,离子区。第32页，共41页，星期日，2025年，2月5日因浓度差?空间电荷区形成内电场?内电场促使少子漂移?内电场阻止多子扩散多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。平衡PN结中扩散电流和漂移电流大小相等而方向相反，所以无外加电场或其他激发因素时，PN结中没有电流。多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区?小结第33页，共41页，星期日，2025年，2月5日考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况PN结加正向偏置电压（正偏）：PN结加正向电压时的导电情况2PN结的特点外加电压使内电场减小以致阻挡层变窄多子形成的扩散电流增加漂移电流减小从电源正极有流入P区的正向电流P区接电源正极第34页，共41页，星期日，2025年，2月5日PN结加反向电压时的导电情况由于在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。N区接电源正极外加电压使内电场增加以致阻挡层加宽扩散电流进一步减小趋于零少子形成的漂移电流居支配地位从电源正极有流入N区的很小的反向电流2PN结加反向偏置电压（反偏）：第35页，共41页，星期日，2025年，2月5日PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻；PN结导通PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。PN结截止∴PN结具有单向导电性。结论第36页，共41页，星期日，2025年，2月5日3PN结V-I特性（伏安特性）表达式习惯:P(+),N(-)为参考方向PN结的伏安特性门坎电压(死区电压Vth)：导通、未导通的分界；导通条件：V＞Vth；(与材料有关,Si:0.5V,Ge:0.1V)导通后特征(Si)：0.6~0.8V,约0.7V左右(具体由实测或计算机仿真);截止条件:VVth;(对内电场克服不够)截止后特征:电流几乎为0。第37页，共41页，星期日，2025年，2月5日其中:PN结的伏安特性IS——反向饱和电流。反向截止的少子电流，越小越好，与温度变化有关VT——温度的电压当量常温下（T=300K）：vD——PN结外加电压可推知：PN结加正压，VD≈0.7V，PN结加反压，VD为负值，若比大几倍时,。可见,反向电流是个常数，不随外加反向电压的大小而变动。第38页，共41页，星期日，2025年，2月5日第1页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.本课程的性质和任务介绍电子器件、电子电路和电子技术应用的一门技术基础课2.研究内容?电子元器件的工作原理（二极管、三极管和集成运放）?基本单元电路－放大器的构成原理及互联?电子电路的分析方法以器件为基础、以“放大”为主线，以传递“模拟信号”为目的，研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。3.教学目标能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。工程性质、实践性很强任务是获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能