有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共10页，可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
半导体材料制备人员公司招聘笔试题库及答案
工种：半导体材料制备人员
等级：初级
时间：120分钟
满分：100分
---
一、单选题（每题1分，共20分）
1.半导体材料的禁带宽度越大，则其（）。
A.导电性越好
B.对可见光的吸收能力越强
C.热稳定性越差
D.需要更高的激发能量
2.以下哪种材料属于直接带隙半导体？（）
A.GaAs
B.Si
C.Ge
D.GaP
3.在Czochralski法生长单晶时，籽晶的倾斜角度主要影响（）。
A.晶体直径
B.晶体均匀性
C.晶体缺陷密度
D.生长速率
4.离子注入工艺中，用于提高注入能量的设备是（）。
A.离子源
B.加速器
C.质谱仪
D.冲片机
5.以下哪种缺陷属于晶体生长过程中的本征缺陷？（）
A.位错
B.点缺陷（空位）
C.杂质原子
D.烧结不均
6.半导体材料的纯度通常用（）。
A.百分含量表示
B.原子百分比表示
C.ppm（百万分之几）表示
D.ppb（十亿分之几）表示
7.氧化硅（SiO?）在半导体工艺中主要用作（）。
A.导电层
B.隔绝层
C.蓄电池
D.掺杂剂
8.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）？（）
A.H?
B.N?
C.SiH?
D.O?
9.半导体材料的霍尔效应实验主要用于测量（）。
A.晶体电阻率
B.载流子浓度
C.晶体缺陷
D.晶体取向
10.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）中，常用的等离子体气体是（）。
A.N?
B.H?
C.NH?
D.SiH?
11.以下哪种方法不属于外延生长技术？（）
A.MOCVD
B.CVD
C.LPE
D.溅射
12.半导体材料的电阻率与其（）。
A.载流子浓度成正比
B.载流子浓度成反比
C.晶体缺陷无关
D.温度无关
13.离子注入后的退火工艺主要目的是（）。
A.提高注入能量
B.消除注入损伤
C.增加杂质浓度
D.降低材料纯度
14.以下哪种材料属于IV族半导体？（）
A.Al?O?
B.SiC
C.Ge
D.GaN
15.半导体材料的晶体结构类型主要包括（）。
A.金刚石结构
B.闪锌矿结构
C.石墨结构
D.以上都是
16.晶圆的表面粗糙度通常用（）。
A.Ra表示
B.Rq表示
C.Rz表示
D.以上都是
17.以下哪种设备用于检测半导体材料的厚度？（）
A.光谱仪
B.薄膜厚度计
C.霍尔效应仪
D.SEM
18.半导体材料的掺杂通常是为了（）。
A.提高纯度
B.改变导电类型
C.增加晶体缺陷
D.降低禁带宽度
19.以下哪种工艺属于低温工艺？（）
A.烧结
B.离子注入
C.氧化
D.快速热退火
20.半导体材料的缺陷类型主要包括（）。
A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.以上都是
---
二、多选题（每题2分，共10分）
21.半导体材料的生长方法包括（）。
A.Czochralski法
B.MOCVD法
C.离子注入法
D.外延生长法
22.影响半导体材料电学性能的因素包括（）。
A.杂质浓度
B.晶体缺陷
C.温度
D.禁带宽度
23.半导体工艺中常用的清洗方法包括（）。
A.超声波清洗
B.热氧化清洗
C.RCA清洗
D.离子刻蚀
24.以下哪些属于常见的半导体材料缺陷？（）
A.位错
B.空位
C.间隙原子
D.相界
25.半导体材料的检测方法包括（）。
A.光谱分析
B.霍尔效应测量
C.X射线衍射
D.扫描电子显微镜
---
三、判断题（每题1分，共10分）
26.直接带隙半导体的光吸收系数比间接带隙半导体低。
27.离子注入后的退火工艺可以提高材料的导电性。
28.晶圆的表面粗糙度越高，器件性能越好。
29.化学气相沉积（CVD）通常用于制备高纯度薄膜。
30.半导体材料的掺杂浓度越高，其电阻率越低。
31.晶体缺陷总是对半导体材料的电学性能有害。
32.MOCVD法属于气相外延生长技术。
33.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的沉积速率通常比CVD高。
34.半导体材料的霍尔系数与其载流子类型无关。
35.离子注入工艺中，注入能量越高，注入深度越大。
---
四、简答题（每题3分，共15分）
36.简述Czochralski法生长单晶的原理。
37.解释什么是霍尔效应及其在半导体材料中的应用。
38.离子注入工艺中，什么是注入剂量？如何控制？
39.简述化学气相沉积（CVD）的基本原理及其优缺点。
40.半导体材料中常见的缺陷有哪些？如何减少缺陷的产生？
---
五、论述题（每题5分，共10分）
41.论述半导体材料纯度对器件性能的影响。
42.比较Czochralski法与Float-Zone法生长单晶的优缺点。
---
六、计算题（每题5分，共10分）
43.已知某半导体材料的霍尔系数为3×10??cm3/C，载流子浓度为1×1022cm?3
文档评论（0）