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半导体芯片制造工技能测试题库及答案
工种：半导体芯片制造工
等级：中级
时间：150分钟
满分：100分
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一、单项选择题（每题1分，共20分）
1.芯片制造过程中，用于去除表面氧化层的化学品是（）。
A.H?SO?
B.HNO?
C.HF
D.NH?OH
2.光刻工艺中，用于传递图案的设备是（）。
A.扫描电子显微镜
B.光刻机
C.湿法刻蚀设备
D.离子注入机
3.半导体器件的特性主要由其（）决定。
A.尺寸
B.材料纯度
C.温度
D.封装方式
4.在薄膜沉积过程中，化学气相沉积（CVD）的典型温度范围是（）。
A.100–200°C
B.300–600°C
C.700–1000°C
D.50–150°C
5.晶圆的清洗过程中，常用的超纯水电阻率要求不低于（）。
A.1MΩ·cm
B.10MΩ·cm
C.18MΩ·cm
D.5MΩ·cm
6.以下哪项不属于干法刻蚀的缺点？（）
A.刻蚀均匀性差
B.易产生侧蚀
C.杂质引入少
D.设备成本高
7.离子注入工艺中，用于控制注入能量的设备是（）。
A.质谱仪
B.能量分析器
C.离子源
D.薄膜沉积室
8.晶圆键合过程中，常用的键合方式不包括（）。
A.热压键合
B.电子束键合
C.激光键合
D.焊料键合
9.半导体制造中，用于检测晶圆表面缺陷的设备是（）。
A.拉曼光谱仪
B.原子力显微镜（AFM）
C.能量色散X射线光谱仪（EDS）
D.离子色谱仪
10.光刻胶的剥离过程中，常用的剥离温度范围是（）。
A.100–200°C
B.200–400°C
C.300–500°C
D.400–600°C
11.晶圆的晶圆级封装中，常用的封装材料是（）。
A.硅橡胶
B.玻璃陶瓷
C.金属基板
D.聚合物胶粘剂
12.半导体制造中，用于去除晶圆表面金属污染的化学品是（）。
A.HCl
B.H?O?
C.NH?OH
D.HF
13.湿法刻蚀过程中，常用的刻蚀化学品不包括（）。
A.H?SO?
B.HNO?
C.HCl
D.NaOH
14.晶圆的划片和切割过程中，常用的设备是（）。
A.薄膜沉积设备
B.光刻机
C.砂轮切割机
D.离子注入机
15.半导体器件的漏电流主要由其（）决定。
A.结深
B.温度
C.封装材料
D.材料纯度
16.薄膜沉积过程中，化学气相沉积（CVD）的典型压力范围是（）。
A.1–10Torr
B.10–100Torr
C.100–1000Torr
D.1–1000atm
17.晶圆的表面粗糙度检测通常使用（）。
A.扫描电子显微镜（SEM）
B.原子力显微镜（AFM）
C.能量色散X射线光谱仪（EDS）
D.质谱仪
18.半导体制造中，用于去除晶圆表面有机残留的化学品是（）。
A.H?SO?
B.H?O?
C.NH?OH
D.CH?COOH
19.光刻工艺中，用于提高分辨率的关键因素是（）。
A.光源波长
B.光刻胶厚度
C.晶圆温度
D.设备精度
20.晶圆的存储过程中，常用的存储环境是（）。
A.高温高湿
B.低温低湿
C.标准洁净室
D.真空环境
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二、多项选择题（每题2分，共10分）
1.以下哪些属于湿法刻蚀的优点？（）
A.刻蚀均匀性好
B.侧蚀可控
C.设备成本高
D.杂质引入少
2.半导体制造中，常用的检测设备包括（）。
A.光学显微镜
B.扫描电子显微镜（SEM）
C.原子力显微镜（AFM）
D.能量色散X射线光谱仪（EDS）
3.薄膜沉积过程中，化学气相沉积（CVD）的典型工艺参数包括（）。
A.温度
B.压力
C.化学反应物流量
D.沉积时间
4.晶圆的键合过程中，常用的键合方式包括（）。
A.热压键合
B.激光键合
C.电子束键合
D.焊料键合
5.半导体制造中，常用的化学品包括（）。
A.H?SO?
B.HNO?
C.HF
D.NH?OH
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三、判断题（每题1分，共10分）
1.光刻胶的剥离过程中，温度过高会导致胶层残留。（）
2.湿法刻蚀的刻蚀速率通常比干法刻蚀快。（）
3.晶圆的划片和切割过程中，砂轮的磨损会直接影响切割质量。（）
4.离子注入工艺中，注入能量越高，离子在晶圆中的注入深度越深。（）
5.半导体器件的漏电流主要受温度影响，温度越高漏电流越大。（）
6.薄膜沉积过程中，化学气相沉积（CVD）的典型温度范围在300–600°C。（）
7.晶圆的清洗过程中，超纯水的电阻率越高越好。（）
8.光刻工艺中，光源的波长越短，分辨率越高。（）
9.晶圆的存储过程中，应避免高温高湿环境。（）
10.半导体制造中，所有化学品都必须在洁净室中操作。（）
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四、简答题（每题5分，共20分）
1.简述光刻工艺的基本流程。
2.解释湿法刻蚀的原理及其优缺点。
3.简述晶圆键合的常见类型及其应用场景。
4.如何检测晶圆
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