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* 1.5.3 场效应管与三极管的特点比较 增强绝缘栅场效应管 沟道 沟道 P N O uDS /V iD /mA uGS = 6 V 5 V 4 V 3 V s g d 衬底 iD s g d 衬底 iD 3 O uGS /v iD /mA – 3 uGS /v iD /mA O uDS /V iD /mA uGS = -6 V -5 V -4 V -3V UGS(th) O UGS(th) * 1.5.3 场效应管与三极管的特点比较 耗尽型绝缘栅场效应管 沟道 沟道 P N s g d 衬底 iD iD s g d 衬底 uGS /V iD /mA – 4 O O uDS /V iD /mA uGS = 2 V 0 V – 2 V – 4 V uGS /V iD /mA O 4 O uDS /V iD /mA uGS = -2 V 0 V 2 V 4V UGS(off) UGS(off) IDSS IDSS * （a） 输入特性曲线; （b） 输出特性曲线 图1-28 三极管的输入、 输出特性曲线 * 3、把输出特性曲线划分成三个区 5 10 15 20 1 2 3 4 0 饱和区 放大区 击穿区 (3)饱和区 区域： uCE ＜0.7v 以左部分 条件：发射结正偏，集电结正偏。uBE0, uBC0 特点：失去放大能力，即iC＝βiB不成立,即iB不能控制iC 的变化。 (1)截止区： 区域：iB≤0 输出特性曲线以下的区域为截止区 条件：发射结、集电结均反偏 uBE0, uBC0 。 特点：iB = 0时，iC ≈iE=ICEO=0，三极管CE间为开路。 (2)放大区 区域：iB＝0 以上多条的输出特性曲线。 条件：发射结正偏， uBE0, 集电结反偏 ， uBC0 特点：(A)有放大特性： iC＝βiB (B)有恒流特性： iC与uCE无关。 ICEO 输入回路 输出回路 * 1.4.4 三极管的主要参数 1、电流放大系数 （1）共发射极直流电流放大系数 （2）共发射极交流电流放大系数 （3）输出特性曲线近于平行等距，且ICEO很小时， * 1.4.4 三极管的主要参数 2、极间反向电流 （1）集电极——基极间反向饱和电流ICBO A、发射极开路（IE= 0）时，基极和集电极之间的反向电流称ICBO B、硅管 ICBO＜1μA锗管 ICBO =10μA 左右 C、ICBO越小，管子质量越好。 μA * 1.4.4 三极管的主要参数 2、极间反向电流 (2)集电极——发射极间的反向电流ICEO A、基极开路时（IB=0），集电极与发射极之间加反向电压时，从集电极穿过基区流到发射极的电流称ICEO B、ICEO =（1+β）ICBO C、要求ICEO越小越好。 μA 输入回路 输出回路 * 全 1.4.4 三极管的主要参数 3、极限参数 (1)基极开路时，集电极与发射极之间的反向击穿电压U(BR)CEO。使用时三极管各电极间的电压不要超过U(BR)CEO就可以了。 (2)集电极最大允许电流ICM。IC↑→β↓。 ICM 就是表示β下降到额定值的1/3～2/3时的IC值， 正常工作时，iC＜ICM。 (3)集电极最大允许耗散功率PCM = iC·uCE。在的输出特性曲线上，做出三极管临界损耗线，如图 iC/mA U(BR)CEO ICEO ICM 安 工 作 区 PCM = iC·uCE 损 过 耗 区 输出特性曲线 输入回路 输出回路 * 1.4.5 温度对三极管参数的影响 1、温度对ICBO的影响 温度每升高10℃， ICBO就增加一倍。 2、温度对β的影响 三极管的电流放大系数β随温度升高而增大。 三极管每升高1℃，相应地增大0.5﹪～1﹪ 3、温度对发射结正向电压降UBE的影响 当温度上升1℃，UBE电压下降 (2～2.5mV/℃) 输入回路 输出回路 * 1.5 场效应管 前面研究的三极管,空穴和电子均参与了导电, 是双极型器件，是电流控制器件。而场效应管（FET，Field Effect Transistor）只有一种载流子——多子参与导电,所以是一种单极型器件.它具有输入阻抗高的特点,同时受温度和辐射影响较小,又便与集成化,也成为当今集成电路发展的重要