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防浪涌电路保护--TVS 电源开发 2008-10-17 12:01:38 阅读332 评论0 ??字号：大中小?订阅 硅瞬变吸收二极管 ＴＶＳ ?硅瞬变吸收二极管的工作有点象普通的稳压管，是箝位型的干扰吸收器件，其应用是与被保护设备并联使用。硅瞬变电压吸收二极管具有极快的响应速度（亚纳秒级）、相当高的浪涌吸收能力和极多的电压档次。能保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。? ????ＴＶＳ管有单方向（单个二极管）和双方向（两个背对背连接的二极管）两种，它们的主要参数是击穿电压、漏电流和电容。使用中，ＴＶＳ管的击穿电压要比被保护电路工作电压高１０％左右，以防止因线路工作电压接近ＴＶＳ击穿电压，使ＴＶＳ漏电流影响电路正常工作；也避免因环境温度变化导致的ＴＶＳ管击穿电压落入线路正常工作电压的范围。ＴＶＳ管有多种封装形式，如，轴向引线产品可用在电源馈线上，双列直插的和表面贴装的适合于在印刷板上作为逻辑电路、Ｉ／Ｏ总线及数据总线的保护。? ????３．１?ＴＶＳ的特性?????????????????　? ????ＴＶＳ的电路符号和普通的稳压管相同。其电压－电流特性曲线如图１所示。其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的ＰＮ结雪崩器件。图２是ＴＶＳ的电流－时间和电压－时间曲线。在浪涌电压的作用下，ＴＶＳ两极间的电压由额定反向关断电压ＶＷＭ上升到击穿电压ＶＢＲ，而被击穿。随着击穿电流的出现，流过ＴＶＳ的电流将达到峰值脉冲电流ＩＰＰ，同时在其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压ＶＣ以下。其后，随着脉冲电流按指数衰减，ＴＶＳ两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是ＴＶＳ抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的过程。当ＴＶＳ两极受到反向高能量冲击时，它能以１０～１２Ｓ级的速度，将其两极间的阻抗由高变低，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电位箝位于预定值，有效地保护电子设备中的元器件免受浪涌脉冲的损害。ＴＶＳ具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压容易控制、体积小等优点，目前已广泛应用于家用电器、电子仪表、通讯设备、电源、计算机系统等各个领域。? ? ???３．２?ＴＶＳ的主要参数? ????（１）最大反向漏电流ＩＤ和额定反向关断电压ＶＷＭ。ＶＷＭ是ＴＶＳ最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加于ＴＶＳ的两极间时它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ＩＤ；? ???? （２）最小击穿电压ＶＢＲ和击穿电流ＩＲ。ＶＢＲ是ＴＶＳ最小的击穿电压。在２５时，低于这个电压ＴＶＳ是不会发生雪崩的。当ＴＶＳ流过规定的１ｍＡ电流（ＩＲ）时，加于ＴＶＳ两极的电压为其最小击穿电压ＶＢＲ。按ＴＶＳ的ＶＢＲ与标准值的离散程度，可把ＶＢＲ分为５％和１０％两种。对于５％的ＶＢＲ来说，ＶＷＭ＝０．８５ＶＢＲ；对于１０％的ＶＢＲ来说，ＶＷＭ＝０．８１ＶＢＲ；? ????（３）最大箝位电压ＶＣ和最大峰值脉冲电流ＩＰＰ。当持续时间为２０ｍＳ的脉冲峰值电流ＩＰＰ流过ＴＶＳ时，在其两端出现的最大峰值电压为ＶＣ。ＶＣ、ＩＰＰ反映了ＴＶＳ的浪涌抑制能力。ＶＣ与ＶＢＲ之比称为箝位因子，一般在１．２～１．４之间； ????（４）电容量Ｃ。电容量Ｃ是由ＴＶＳ雪崩结截面决定的，是在特定的１ＭＨｚ频率下测得的。Ｃ的大小与ＴＶＳ的电流承受能力成正比，Ｃ太大将使信号衰减。因此，Ｃ是数据接口电路选用ＴＶＳ的重要参数； ???? （５）最大峰值脉冲功耗ＰＭ。ＰＭ是ＴＶＳ能承受的最大峰值脉冲功率耗散值。在给定的最大箝位电压下，功耗ＰＭ越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗ＰＭ下，箝位电压ＶＣ越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，ＴＶＳ所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为０．０１％。如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏ＴＶＳ； ????（６）箝位时间ＴＣ。ＴＣ是从零到最小击穿电压ＶＢＲ的时间。对单极性ＴＶＳ小于１×１０－１２Ｓ；对双极性ＴＶＳ小于１０×１０－１２Ｓ。 ????３．３?ＴＶＳ的分类???????????????????　? ????ＴＶＳ器件按极性可分为单极性和双极性两种；按用途可分为通用型和专用型；按封装和内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插ＴＶＳ阵列、贴片式和大功率模块等。轴向引线的产品峰值功率可以达到４００Ｗ、５００Ｗ、６００Ｗ、１５００Ｗ和５０００Ｗ。其中大功率的产品主要用在电源馈线上，低功率产品主要用在高密度安装的场合。对于高密度安装的场合还可以选择双列直插和表面贴装的封装形式。? ????３．４?ＴＶＳ的选用? ????（１）确定被保护电路的最大直