硅二极管对高功率微波的非线性响应计算E.PDFVIP

第 卷 第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ! # ’!( ’# $% )% 年 月 *** + ’(*** ,-., /0123 45623 5)7 /538-942 :25;6 = ???????????????????????????????????????????????????????????????? 文章编号 @!**!AB#C***D*#A*#BA*# 硅二极管对高功率微波的非线性响应计算E 余 稳! 蔡新华! 周传 明 方 中华# ( ( ( 常德师范学院电子学研究所 湖南 中国工程物理研究院应用 电子学所 绵阳 信箱 C!’ ( B!F***G’ ( H!H +!H**G 中国科学院长春光机与物理研究所 长春 #’ ( (!#**D 摘 要 考虑二极管 内部载流子所满足的非线性 耦合 刚性方程组 中可能考虑 的因素 @ I I ( 利用 自行研制 的半导体器件模拟程序 对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特 ! ( J/)7 7 性进行 了数值计算 结果显示 出硅二极管对微波信号响应 的非线性 ( K 关键词 非线性响应 高功率微波 二极管 时域有限差分 @ G G G 中图分类号 @ BB!’! BL’B B!’M 文献标识码 @ 0 0 0 5 开展高功率微波对 电子系统作用机理的研究具有重要的实际意义K半导体器件的行为可通过求解 半导体 内部载流子所满足的非线性 耦合 刚性方程组 由电子连续性方程 空穴连续性方程 泊松方程 I I C I I I 热流方程等八个方程组成 而获得 本文利用 自行研制 的半导体器件模拟程序 N!O 采用有限差 D ( ! ( J/)7 7 分方法对上述方程组进行数值求解 K研究了典型结构的硅二极管在高功率微波源激励下的非线性响应 特性K P 基本方程 通常情况下 半导体器件 的行为可 由电子连续性方程 空穴连续性方程和泊松方程描述 对高压瞬 ( I ( 态情形 还必须考虑热流方程及方程系数 如迁移率 热导