式换热器的进、出水手动阀门，打开C1361板式换热器外部循环水进出水.docVIP

还原岗位操作规程 适用范围 规范性引用文件 工艺原理及工艺流程图 基本资源 控制参数 主要调节控制说明 过程控制 过程控制2 Dcs控制高供柜的开停机过程 还原工序 石墨煅烧操作规程 操作规程 石墨电极腐蚀清洗的目的 清洗工艺 蒸汽工艺 烘干 煅烧 真空烘箱 安全防范技术规程 还原岗位操作规程 适用范围 1.1本操作规程适用于四川新光硅业科技有限责任公司还原工序。 1.2目的：其目的是使系统处于受控状态，生产出符合用户要求的产品， 2.1氢（H2）： 压力（表压）： 吹扫气 0.2MPa 视孔吹扫氢 0.35MPa（仅使用于12对棒还原炉） CDI回收氢 0.35MPa 电解氢 0.4 MPa 无色无味 密度：0.09g/L 与空气的可爆炸下限 4.09% 与空气的可爆炸上限 80.0% 空气混合物中的自然温度 450℃ 杂质含量 氮气（N2）50 ppmw 甲烷（CH4）2 ppmw 氧气（O2）3 ppmw 水（H2O） 1 ppmw 2.2氮气（N2） 压力（表压）： 等离子氮气 0.5MPa 吹扫氮气 0.05MPa 保安氮气 0.3MPa 氧含量不大于0.0007％ 2.3 HCl（腐蚀用） 压力（表压）：0.15MPa HCl≥93.32％ （V），H2≥5.48％（V），氯硅烷0.2％（V） 2.4 多晶硅 多晶硅为银灰色，表面有金属光泽，结晶致密，断面无氧化夹层、空洞、裂纹、棒的表面无沾污、斑痕、氧化痕迹、呈玉米状的微孔和凸瘤。 序号 质量指标名称 质量指标 检验标准 1 N型电阻率 ≥300Ω.cm SEMI M16，M16.1，ASTM F1723，F1389，F1630，F397 2 P型电阻率 ≥3000Ω.cm SEMI M16，M16.1，ASTM F1723，F1389，F1630，F397 3 碳含量 ≤1×1016原子/cm3 ASTM F1391 4 晶体内的重金属杂质含量 重金属含量的总量≤1ppba 中子活化分析 多晶硅棒最大直径：9对棒120mm，12对棒150mm。 2.5 石墨件质量要求： 专用石墨是在≥2500℃下，在氯气下处理，密度g/cm3-1.75孔隙率13％，含灰量5ppm，杂质的浓度（ppm）： Al0.1 B≤0.05 Ca≤0.3 Cr0.1 Cu≤0.1 Fe≤0.3 Mg0.1 Na0.1 P0.3 S2 Si0.5 Ti0.3 V≤0.1 2.6 聚四氟乙烯 正常工作在200℃，保证在300-350℃温度范围内的可靠工作。（聚四氟乙烯使用于电极绝缘套） 2.7 硅芯质量要求 直径：Φ7×7mm 有效长度：9对棒≥2000mm，12≥2800mm 硅棒弯曲度＜3％，N型电阻率 2.8 原料SiHCl3 外观：无色透明液体，无机械杂质 SiHCl3含量≥99.8％（W） 杂质含量： SiHCl3含量≥99.8％（W） 杂质含量： SiH2Cl2≤0.1％（W） SiCl4≤0.1％（W） C-H组份≥75％（比色皿厚度10mm，在波长范围自3.37至3.42μm内，透明体） 甲基二氯硅烷≤2×10-5（W） 乙基氯化物（乙氯烷）≤5×10-5（W） 烃（其中包括戊烷）≤2×10-4（W） 微量杂质含量（W％）： 硼≤3×10-9 铝≤1×10-8 铁≤1×10-8 钙≤1×10-8 磷≤1×10-8 铜≤1×10-8 钛≤1×10-8 铬≤1×10-8 镍≤1×10-8 锰≤1×10-8 锑≤1×10-8 铅≤1×10-8 锡≤1×10-7 锌≤1×10-8 砷≤1×10-9 工艺原理及工艺流程图 工艺原理 经提纯和净化的SiHCl3和H2，进入蒸发器中，在20℃，0.2MPa。G的压力下，H2/SiHCl3按体积（摩尔比）＝3.5：1进入还原炉，在1080℃-1100℃温度下，SiHCl3被还原，生成的硅沉积在发热休硅芯上。 主要反应如下： SiHCl3+H2 900～1100℃ Si+3HCl 同时，也会产生SiHCl3的热分解以及SiCl4的还原反应： 4SiHCl3——900℃以上 Si+3SiCl4 + 2H2 SiCl4 + 2H2 —— Si+4HCl 工艺流程图 流程示意图如下： （到2号厂房） 在完成必要的分析和达到2