驱动能力总结.docVIP

在电子电路中为什么有的地方电压会被拉低驱动能力是什么意思，如何提高驱动能力 问题补充： 在很多资料上看到说驱动能力不够是因为提供的电流太小，为什么不说电压呢？在很多限制的条件都是电流而不是电压，为什么？电压和电流满足欧姆定律，考虑谁不是都一样吗？ 还有就是，在什么情况下要考虑驱动能力，是不是只有在集成电路输出口要考虑？那你怎么知道这个集成电路驱动能力是不是不够？在平常的电路中（非集成电路IO口），如何考虑驱动能力？能不能给些例子。提高驱动能力都有哪些办法？我只知道用三极管提高驱动能力这位朋友,你的问题是一个电子设计中最为基本的问题但是有很多初学者或者新上手的设计人员都分不清楚这个电压电流在苛刻的条件下的区分我给你分析一下希望对你有所帮助 1、问：为什么说驱动能力不够是因为提供电流太小而不是电压？和分析驱动能力不够？ 答：首先我们看到的驱动能力不够大部分是在你选择的负载（电阻、喇叭等）电压符合供电电压的那么电压符合了只有看电流大小是否足够。是电压还是电流引起驱动能力不够，给你个判断方法，将后级电流开路测试电压是否符合负载电压符合但接上负载后电压就会降低这个就是电流驱动能力不够。如果电压不够则是驱动电压不够。2、什么情况下要考虑驱动能力？ 任何情况都要考虑包括数字信号处理的接口电路里。但是说的驱动能力都是在功率驱动的情况下用的比较多。3、怎么知道在集成电路里和平常IC驱动能力是否足够？和提高驱动能力的办法 在IC的资料里都有说明I/O口的驱动能力，根据你的负载所需要的驱动能力来判断这个I/C的I/O口是否符合如果不符合可以用三极管或者MOS管子放大提高驱动能力。4、举例子：用一个IC驱动1个LED。IC输出电压5V，输出电流20mA用来驱动一个白色LED。LED是20A 、3.3V的。那么5-3.3=1.7V20mA时1.7/20A=85R。这样我们可以在LED上串接一个电阻85R正接I/O负对地就可以了。 现在为驱动300A、3.3V的1WLED。I/O驱动能力就不够了需要提高驱动能力。分析输出5V输出20A，用放大200倍三极管集电极电流要在300A，计算得：300A/200=1.5mA，基极电流为1.5A，为了使三极管深度饱和选用10倍饱和电流。1.5*10=15A，5V/15mA=333R，则选用330R的电阻到三极管基极和I/O口上发射极地集电极接LEDLED+接电阻（5-3.3=1.7/0.3=5.R）5.R/1W，然后接5V就可以了。 1.深度饱和时，视所用管子Ube可取0.7V，Uce可取0.1~0.5V（大多计算可忽略）Ic不再受控，认为恒定在设计值不变了Ic则几乎仅由外部电路（R+LED）决定2.放大状态，Ube可视为不变，而Uce就完全不能确定了就意味着还会随管子而变即Vce较大，功耗也偏大β值不单受温度，电流，电压影响3.饱和10倍，意指取1/10标称β值。这是一般电路深度（可靠）饱和常用工程数据（5倍也可算作饱和，20倍意义就不大了）P0是个漏极开路接口,让它工作在灌电流状态下驱动LED是没有问题的即:VCC限流电阻LEDP0灌电流：IO口为低电平的时候,电流从IO口外面灌进单片机相反的就是 拉电流 IO口为高电平的时候,电流从单片机流出去给负载供电。P0口有两种工作方式：总线式和口式。简单的说就是：把0用来作地址数据复用线（movx movc之类的指令）就是总线，这时0口是推挽式输出，就是pmos，nmos都来驱动输出，所以这个时候不论输1（高电平）还是输0（低电平），驱动都比较强的（内阻小，输出电流大），你们没人见过51访问外ram的硬件中P0口接上拉电阻的吧！第二种就是方式，就是将它当作普通的来用，这时它与其他的三个不同的是，它内部没有上拉电阻（也就是其他的三个口内部都有上拉），属于开漏输出 （），所以它的输出是低电平（0）和高阻态（z）两种状态，你只需从此管脚接个发光管和限流电阻到电源就可以了，此时管脚就相当于一个开关，闭合到地或断开，这应该算最简单，而且功耗低的一种接法了当然，你也可以利用高电平来驱动，就是外面接个上拉电阻了，这种方法不好，功耗大，自己想一下就知道原因了。尤其是接的负载比较重，同时驱动几个发光管， 必须要减小上拉电阻以提供足够的驱动电流，但是，小的上拉电阻导致负载不工作时的电流大，甚至关不断负载（发光管不能熄灭）。其它口内部接了上拉电阻，是伪双向口的需要。因为总线操作通常速度较快，开漏的输出容易导致上升沿变圆滑，该方式针对总线方式时该端口的所有输出，总线上升下降都要求快，开漏下降快（因为是MOS管控制），上升慢（因为是上拉拉起来的），P0口的上半截图腾柱是在总线操作模式下才接上去的，所以不能说IO结构没变。P0口本身就有上半截图腾柱，只是在总线方式下才配置为激活看到有些电路P0