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不同碳硅 比对合成高比表面积碳化硅的影响 ／郝建英等 ·73 · 不同碳硅比对合成高比表面积碳化硅的影响 郝建英 。，王英勇 ，童希立 ，靳国强 ，郭向云 (1 中国科学院山西煤炭化学研究所，煤转化国家重点实验室，太原 030001；2 中国科学院研究生院，北京 100039； 3 太原科技大学材料与工程学院，太原 030024) 摘要 以淀粉和工业水玻璃为原料，经过碳热还原反应制备出碳化硅纳米线。采用XRD、SEM、氮吸附一脱附 和荧光光谱4K(PL)对所制备的样品进行表征，同时考察了碳硅比(物质的量比，下同)对碳化硅形貌、比表面积和荧 光性能的影响。结果表明，当碳硅 比为4．5时，合成的碳化硅为直的纳米线，比表面积为45m2／g，发光强度也达到最 大 。 关键词 碳化硅 纳米线 碳热还原 水玻璃 荧光 中图分类号：0613．7 文献标识码 ：A Effect0fn(C)／n(Si)0ntheSynthesisofHighSurfaceAreaSiC HAOJianying， ，WANGYingyong，TONGXili，JIN Guoqiang，GUOXiangyun (1 StateKeyLaboratoryofCoalConversion，InstituteofCoalChemistry，ChineseAcademyofSciences，Taiyuan030001； 2 GraduateUniversityoftheChineseAcademyofSciences，Beijing100039；3 CollegeofMaterialsScience＆Technology， TaiyuanUniversityofScienceandTechnology，Taiyuan030024) Abstract SiC nanowireswerepreparedbycarbothermalreductionmethod。inwhichstarch andwaterglass wereemployedascarbonandsilicaprecursorsrespectively．Theas-synthesizedSiCwascharacterizedbyXRD，SEM ， N2absorption-desorptionandphotoluminescence。andtheeffectsof (C)／n(Si)onthemorphology，surfaceareaand photoluminescencepropertyofSiCwereinvestigated．W henmolarratioofcarbontosiliconintheprecursorsisequal to4．5，obtainedSiCisstraightnanowires，withthespecificsurfaceareauptO45m2／gandtheintensityoflightemis— sionreachesmaximum． Keywords SiC，nanowires，carbothermalreduction，waterglass，photol 体，因此是最有希望进行大规模生产的制备工艺。 0 引言 水玻璃是一种常见的工业原料 ，与其它硅前驱体相 比， 碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有一系列优异的性 价格更为低廉，来源也更丰富。此外 ，工业水玻璃是溶液 ，与 能，如良好的导热性、化学稳定性、抗热震性、抗氧化性、耐高 碳前驱体粉体混合后能紧密地包覆于前驱体粉体表面，使 C 温、耐腐蚀、高的力学强度和硬度等，可广泛用于陶瓷、金属 与 Si有效地接触，从而降低碳化硅的制备温度，获得高质量 及聚合物基复合材料的增强