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三维Ni亚微米柱阵列的制备及微结构研究
:
陈 昶 等 三维 亚微米柱阵列的制备及微结构研究
Ni 04125
文章编号: ( )
1001G9731201604G04125G04
三维 亚微米柱阵列的制备及微结构研究∗
Ni
1 2 1 1 1 1 1 1
, , , , , , ,
陈 昶 张 伟 陈 建 刘春海 曾宪光 杨瑞嵩 王 龙 蒲 国
( , , ;
1.四川理工学院 材料科学与工程学院 材料腐蚀与防护四川省重点实验室 四川 自贡 643000
, )
2.四川理工学院 分析测试中心 四川 自贡 643000
: ( ) ,
摘 要 利用磁控溅射法在阳极氧化铝 模板上制备了 亚微米柱阵列 研究了不同退火温度对 亚
AAO Ni Ni
. ( )、 ( )、 ( )
微米柱阵列结构稳定性的影响 通过原子力显微镜 AFM X射线衍射仪 XRD 扫描电子显微镜 SEM 等对
. ,
不同退火温度下制备的 亚微米柱阵列的晶体结构以及表面形貌进行了表征 结果表明 磁控溅射法制备的
Ni Ni
, 、 , . ,
亚微米柱阵列具有多晶的面心立方结构 排列规则 粗细均匀 其直径约为400nm 经400℃退火后 开始形成
. , , .
和 金属间化合物 退火后 出现空心 亚微米柱 且 亚微米柱体积膨胀变粗 退
AlNi AlNi 500℃ Ni Ni 600℃
1.1 0.9
火后, 亚微米柱部分脱落.
Ni
: ; ; ; ;
关键词 AAO模板 磁控溅射 Ni亚微米柱阵列 晶体结构 表面形貌
中图分类号: ; 文献标识码: : /
P754.1O646.21 A DOI10.3969 .issn.1001G9731.2016.04.025
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