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【2017年整理】模电模拟集成电路
电子技术基础 A(模拟部分);内容提要;? 复合管电路; 6.0.1 集成电路的特点; 6.0.1 集成电路的特点; 6.0.1 集成电路的特点; 集成电路(IC)中单个元器件精度不很高,参数随温度漂移较大,但在同一芯片上用相同工艺制造出的元器件性能一致性好,芯片上同一类元器件温度特性也基本一致。如果做成对称电路或补偿回路,则电路的热稳定性相当好。; IC中由于用 P 或 N 型半导体材料作电阻,阻值有一定限制,一般几十W到几十kW之间,太高太低都会因占芯片面积过大而不易制造。常用占用面积小且性能好的MOS、BJT管等有源器件构成电流源替代大电阻。大电容也不易制造,常用PN结电容或SiO2绝缘层构成小电容,一般100pF,故各级电路间大都采用直接耦合。电感则一般必须外接,有时通过巧妙设计电路结构来代替大电容和电感元件。; 由于复合结构的电路性能较佳而制作容易,因而集成???路中经常采用复合管(达林顿)、共集(CC)-共射(CE)、共射(CE)-共基(CB)、共集(CC)-共基(CB)等复合结构电路。; IC 中的二极管常用三极管的一个 PN 结构成,或将基极与集电极短路,再与发射极构成正向压降较低的二极管。常用来作恒压电路、偏置电路和温度补偿电路,这是因为这种二极管具有与三极管发射结相同的温度系数。; 6.0.2 集成电路中常用的电路组态; 6.0.2 集成电路中常用的电路组态; 6.0.2 集成电路中常用的电路组态; 6.0.2 集成电路中常用的电路组态; 6.0.2 集成电路中常用的电路组态;? MOSFET镜像电流源; 6.1.0 基本原理;恒流特性:;恒流特性:;由于T2的集电极电流基本不变。所以交流量:;由于增加T3,使IC3更接近kIREF;由于DVBE很小,故 IC2也很小; 6.1.1 BJT电流源;共射电路电压增益为:; 6.1.2 FET电流源; 6.1.2 FET电流源; 6.1.2 FET电流源; 6.1.2 FET电流源;? 电路结构;可以放大直流信号;例:假设;A1; 6.2.1 差分放大电路的概念; 6.2.1 差分放大电路的概念; 6.2.1 差分放大电路的概念; 6.2.1 差分放大电路的概念; 6.2.1 差分放大电路的概念; 6.2.2 基本差分式放大电路; ●仅输入差模信号,vi1 和 vi2大小相等但反相。则 vc1 和 vc2 大小相等且反相,故 vo= vc1-vc2≠0,差分信号被放大!; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 温度变化和电源电压波动,都将使集电极电流产生变化,且变化趋势是相同的,因此,其效果相当于在两个输入端加入了共模信号。; 另外,温度↑,两 c 极电流↑,使流过Re的电流↑,e 极电位上升,从而限制了 c 极电流↑。其过程类似分压式射极偏置电路的温度稳定过程。所以,即使差放为单端输出,仍有很强的抑制零漂能力。 ; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算; 6.2.3 基本差分式放大电路的参数计算;?;?;反相;例:T1、T2、T3均为硅管, b1 = b2 =50, b3 = 80, 当 vi = 0 时, vo = 0,求:;解:(1) 静态:;解:(2) 电压增益:;解:(3) 输出电压:; 6.2.4 基本差分式放大电路的传输特性; 6.2.5 基本差分放大电路的改进; 6.2.5 基本差分放大电路的改进; 6.2.5 基本差分放大电路的改进; 6.3.1 集成电路运算放大器的基本结构;集成运放内部组成框图;集成运放的特点:; 6.3.2 通用型集成电路运算放大器; 6.3.2 通用型集成电路运算放大器; 6.3.2 通用型集成电路运算放大器;1. 输入失调电压VIO;8. 开环差模电压增益AVO; 课堂练习:; 课堂练习:; 课堂练习:;? 信号分类、分解与合成:共模信号和差模信号;
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