【2017年整理】模拟电路复习提纲.ppt

模拟电子技术期末总复习 第1章 二极管及其基本电路 本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体 杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素.在杂质半导休中,多数截流子的浓度与掺杂工艺有关,少数截流子的浓度与温度有关. N型:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷,施主杂质);N型半导体的多子是电子,少子是空穴;所以N型半导体是电子导电型半导体. P型:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼,受主杂质);P型半导体的多子是空穴,少子是电子;所以P型半导体空穴导电型半导体. PN结:通过掺杂工艺将P型半导体与N型半导体制作在同一硅片上,它们在交界面形成一层不能移动的空间电荷区,这个电荷区就称PN结. 在PN结形成过程中,载流子扩散运动是由于浓度差作用下产生的,漂移运动是由于内电场作用下产生的. 单向导电性:PN结加正向电压(P端接高电位,N端接低电位)时, PN结导通, 反之,加反向电压时, PN结截止. 电容效应:PN结存在两种电容,分别叫做势垒电容和扩散电容.PN结正向工作时主要存在扩散电容,反向工作是主要存在势垒电容. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体吗? 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电吗? 第1章 二极管及其基本电路 伏安特性:二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线.二极管的伏安关系可近似表述为公式 第2章 三极管及其放大电路基础 结构:具有二个PN结（发射结、集电结）,三个区（基区、发射区、集电区）,基区很薄、杂质浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结面积大。 类型：NPN，PNP 电流放大倍数：晶体管输出电流与输入电流的比值称为电流放大倍数。 输入特性曲线：温度升高时，输入特性曲线将左移，Vbe随温度上升而下降，换一角度说，若Vbe不变，则温度升高时，iB将增大。 输出特性曲线：温度升高时,三极管的极间反向饱和电流增大，三极管β增大，输出特性曲线上移。 放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置；对于NPN型VCVBVE,对于PNP型VEVBVC. 截止区：发射结反向偏置或零偏(基极与发射极短接)，集电结反向偏置； 饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置。流过发射结的主要是扩散电流，流过集电结的主要是漂移电流.且 iC β iB 主要参数:放大倍数β,极间反向电流ICBO,穿透电流ICEO,最大集电极耗散功率PCM,最大集电极电流ICM和极间反向击穿电压UCBO、UCEO、UEBO 第2章 三极管及其放大电路基础 放大电路：放大电路放大的本质是能量的控制与转换，是在输入信号的作用下，通过放大电路将直流电源的能量转换成负载所获得的能量。放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。能够控制能量的元件称为有源器件。 放大倍数：输出电压与输入电压之比称为电压放大倍数用Au 表示；输出电流与输入电流之比称为电流放大倍数用Ai 表示；输出电压与输入电流之比称为互阻放大倍数用Ar 表示；输出电流与输入电压之比称为互导放大倍数用Ag 表示。 输入电阻：从放大电路输入端看进去的等效电阻，定义为输入电压有效值Ui 和输入电流有效值Ii 之比。即：Ri=Ui/Ii 。如何用实验法求？ 输出电阻:从放大电路输出端看进去的等效内阻，等于负载开路时，输出端所加电压与输出电流之比。即Ro=Uo/Io 实验法如何求？ 通频带：用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。放大电路的放大倍数与信号频率的关系曲线称为幅频特性曲线。当信号频率下降,使放大倍数的数值等于0.707中频放大倍数的频率称为下限截止频率fL；当信号频率升高,使放大倍数的数值也等于0.707中频放大倍数的频率称为上限截止频率fH；f fL的频段称为低频段,f fH的频段称为高频段, fL ffH的频段称为中频段,也称放大电路的通频带. 第2章 三极管及其放大电路基础 静态工作点:当输入信号为零时,晶体管的基极电流IB、集电极电流IC、B-E间电压UBE和C-E间电压UCE称为放大电路的静态工作点Q。记作IBQ、ICQ、UBEQ和UCEQ。一般可以通过改变基极电阻来改变静态工作点。 常见的放大电路类型：共射极放大电路、共集电极（也叫射极输出器）放大电路和共基极放大电路。共射放大电路输出电压与输入电压反相，电压放大倍数较大，输入电阻典型值为Ri=rbe，输出电阻为Ro=RC；共集电极电路输出电压与输入电压同相，电压放大倍数小于1，输入电阻较大Ri= rbe+(1+β）Re，输出电阻最小Ro=Re// rbe /(1+β）；共基极电路输出电压与输入电压同相，放大倍数与共射极电路相同，输入电阻最小Ri= rbe /(1+β），输出电阻Ro= RC；以上不包括信号源内阻。哪种类型输入电阻最大？哪种类型输出电阻