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AlN器件剖析
;氮化铝(AlN )晶体是一种优良的直接带隙宽禁带化合物半导体材料, 具有高击穿场强、高热导率、化学和热稳定性好等优异性能, 是理想的紫外光电子材料, 也是用于高温、高频和大功率领域的电子材料; 同时,氮化铝晶体与氮化镓(GaN)晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数, 是外延生长氮化镓基光电器件的优选衬底材料。随着半导体技术的发展, 氮化铝晶体受到越来越多的重视。;紫外探测器工作原理;Adv. Mater. 2015, 27, 3921–3927;(c) I-V characteristics of AlN micro/nanowire-based photodetector illuminated under a light of 193 nm (with an average power density of 1 W.cm?2) and under dark condition; (d) Time-dependent response of the device measured under air environment at room temperature applied a bias of 20 V. Photoresponse rise and decay time ( Rτ and Dτ ) is recorded, which is less than 0.1 and 0.2 s, respectively.;结语;敬请批评指正!
谢谢大家!
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