AlN器件剖析.pptxVIP

  1. 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
AlN器件剖析

;氮化铝(AlN )晶体是一种优良的直接带隙宽禁带化合物半导体材料, 具有高击穿场强、高热导率、化学和热稳定性好等优异性能, 是理想的紫外光电子材料, 也是用于高温、高频和大功率领域的电子材料; 同时,氮化铝晶体与氮化镓(GaN)晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数, 是外延生长氮化镓基光电器件的优选衬底材料。随着半导体技术的发展, 氮化铝晶体受到越来越多的重视。;紫外探测器工作原理;Adv. Mater. 2015, 27, 3921–3927;(c) I-V characteristics of AlN micro/nanowire-based photodetector illuminated under a light of 193 nm (with an average power density of 1 W.cm?2) and under dark condition; (d) Time-dependent response of the device measured under air environment at room temperature applied a bias of 20 V. Photoresponse rise and decay time ( Rτ and Dτ ) is recorded, which is less than 0.1 and 0.2 s, respectively.;结语;敬请批评指正! 谢谢大家!

文档评论(0)

jiayou10 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8133070117000003

1亿VIP精品文档

相关文档