极性阳离子条件下AlOOH“复合生长基元”模型研究.pdfVIP

第40卷第 6期 当 代 化 工 VO]．4O．No．6 2011年 6月 ContemporaryChemicalIndustry June，2011 极性阳离子条件下 AlOOH “复合生长基元模型研究 郝保红 ，朱广宇 ，方克明 (1．北京石油化工学院机械工程系， 北京 102617； 2．北京科技大学冶金学院，北京 100083) 摘 要：结合水解特点，根据负离子配位原理，构建了添加极性阳离子条件下的A1OOH “复合生长基 元”模型，从原子 “聚集体”的角度，揭示了铁离子的 “同晶替代”作用。用实验结果验证了理论推导的止 确性，并用能谱检测结果证明了添加元素的存在。 关 键 词：AIOOH；水热环境 ；同晶替代；原子聚集体；复合长基元 中图分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号： 1671—0460(2011)06—0554—03 StudyonAIOOH ‘C‘omplexGrowthElementary’’M odel UnderPolarCationicCondition HA0Bao—hong，ZHUGguang-yun，FANGKe—ming2 (1．DepartmentofMechanicalEngineering，BeijingInstituteofPetrochemicalTechnology，Beijng102617，China； 2．DepartmentofMetallurgy,UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Beijing100083，China) Abstract： TheA100H “complexgrowthelementary”modelunderaddedpolarcationicconditionwasestablished by combiningwith hydrolysischaracteristicsand applyingthenegativeionsligand theory．The “isomorphous replacement’’reactionofferricionsintermsofatomic “aggregate”wasrevealed．Theexperimentalresultsshow thatthetheoreticalderivationiscorrect，andtheenergydispersivespectrum resultsproveexistenceofadditional element． Keywords： AIOOH ； Water themr alenvironment； Isomorphousreplacement； Atomicaggregate； Complex growthelementary 晶体生长理论研究，本质上就是完整理解不同 体相的变化是通过界面相来影响晶体的生长，环境 晶体的内部结构、缺陷、生长条件和晶体形态四者 相的变化也是通过界面相来影响晶体的生长；晶体 之间的关系。搞清楚这四者之间的关系，就可以在 生长过程中，界面相中的吸附层和界面的性质 以及 制备实验中预测具有特定晶体结构的晶体在不同 吸附层与界面的相互作用决定着晶体的生长过程； 生长条件下的生长形态，通过改变生长条件来控制 可以通过改变界面相的性质来控制晶体的生长速 晶体内部缺陷的生成，改善和提高晶体的质量和性 度，从而实现晶须定向生长的预见性可控性。 能。晶体生长理论必须综合考虑晶体生长的内部因 1 实验