バイポーラトランジスタの 静特の測定.pptVIP

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 * 電界効果トランジスタの静特性 FET(Field Effective Transistor)とは 電圧制御型の能動素子 (VGSによりIDを制御する) D：ドレイン S：ソース G：ゲート NチャンネルJFET：接合型FET D：ドレイン S：ソース G：ゲート PチャンネルJFET：接合型FET D S G P N P ID：ドレイン電流 チャネル NチャンネルJFET 空乏層の成長 VDS:ソース?ドレイン間電圧 VGS:ゲート電圧 ピンチオフってなに？ VDS≧0 （逆方向電圧） VGS≦0 （逆方向電圧） R1 R2 R4 E2 E1 S D G JFET静特性の測定回路 VDS, ID 　：可動コイル型 VGS 　：マルチメータ A V1 V2 ID VDS VGS 静特性第１象限 VDS ID VGS VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 VGSをパラメータとして VDS‐ID特性を測定 0 E1を可変 E2で設定 VDS ID VGS VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 VDSの時の VGS－ID特性 VDS 静特性第2象限 0 VDS ID VGS VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 出力特性 伝達特性 出力電圧 入力電圧 出力電流 出力抵抗と相互コンダクタンス 電圧 電流 VDS 相互コンダクタンス 出力抵抗 0 * * *