p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响.pdfVIP

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2015-08-30 发布于安徽
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p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响.pdf

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第二部分硅基薄膜太阳电池 ·383· P层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响刘石勇曾湘波’ 彭文博姚文杰谢小兵王超王占国 (中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室，北京100083) 摘要研究了P层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响。微晶硅(肛c—Si)太阳能电池采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备。实验结果表明氢稀释比越高，温度越低，沉积的P层膜光学带隙越大。将不同带隙P层应用于微晶硅电池，我们发现P层带隙过大将增加i／p界面处的能带失配，导致较多的缺陷态，影响内建场的分布同时限制开路电压(k)，而P层带隙较小时，将降低电池的内建电势，同样影响n增加。因而优化P层带隙将有利于提高电池的性能。关键词P层带隙；i／p界面；微晶硅电池 EffectsoftheBand of onthePerformanceof Gapsp-layers SiliconSolarCells Microcrystalline Liu WenboYao Xie ShiyongZengXiangbo。Peng WenjieXiaobing Chao Wang WangZhanguo ofSemiconductorMaterialsScience，InstituteofSemiconductors， (KeyLaboratory Chinese of 100083，China) AcademySciences，Beijing Abstract theband of Theeffectsof of onthe silicon(№一Si：H) gapsp-layersperformancemicrocrystalline use chemical solarcellshavebeen the enhanced investigated．Weplasma vapor that band increasewith for the solarcells．Theresultsindicatethe ofthe ttc—Si：H gaps p-layers fabricating inves- eitherthe dilutionratios(尺H)orthe substrate have increasinghydrogen decreasingtemperatures．We the withvariousband in_“c—si：Hsolarcells．Theband of willin— tigatedp-layers gaps larger gapsp-layers ducethe