p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜材料的电化学制备及其性能.pdfVIP

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2015-08-30 发布于安徽
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天津人学2011年博士论坛化工分论坛论文集 p．型Bi．Sb-Te．Se温差电薄膜材料的电化学制备及性能朱艳兵，王为· (天津大学化工学院，天津300072) 摘要：采用电化学控电位沉积的方法，在镍基体上制备了Bi—Sb-Te。Se温差电材料薄膜。为了提高其结晶度的结构、形貌和组成进行了研究，并测试了在不同电位下制备的Bi—Sb-Te．Se薄膜的温差电性能。研究结果共沉积，电沉积的B．-sb．Te．se薄膜的掺杂浓度对沉积电位敏感。采用控电位电沉积制备的温差电材料能达到的最大功率冈子为0．48 mW／(K2．m)，对应的薄膜材料组成为Bio．37Sbl．彀Te2瑚Seo．19。关键词：电沉积；温差电薄膜；Bi．Sb-Te．Se：结构；性能中图分类号：TQl74 文献标识码：A 文中编号： Thermoelectricalof Bi·-Sb··Te·-Se propertiesP-·type materials preparedbyeIectrodepOsitiOn Zhu，WeiWang+ Yan—Bing ofChemical and (School 300072，China) EngineeringTechnology，TianjinUniversity，Tianjin Bi-Sb—Te—Sethermoelectricfilmswere cathodic on Abstract：p—type preparedby electrodepositiontechnique substratefromnitricacidsolution atroom orderto the with nickel enhance system temperature．In crystallinity well annealed asthethermoelectricofthe were at523K orientation，as properties preferred depositedfilms，they condition．The of for2hunder pressure and the nitrogenatmospheric structures，morphologiescompositions filmswerecharacterized and byXRD，ESEM coefficients_【a)and deposited EDS，respectively．Seebeck ofthefilmswerealsoevaluated．Theresultsrevealedthat andSecouldbe toform