清华大学微电子封装技术 封装设计.pdfVIP

三、 封装电设计 电设计的必要性 通常情况下： 电设计内容： 封装几何尺寸远大于芯片及片上布线的几何尺寸， 对电性能的限制主要来自芯片。 直流、高压 当：① 高密度封装、封装尺寸可与芯片布线尺寸 相比拟时； 三种情况 低速传输系统 ② 芯片上器件的工作频率f足够高时； 高速传输系统 ③ 电路噪声容限很小时， 封装电参数有可能限制某些器件的电参数， 这时，必须进行封装电设计，如PGA 、BGA 、 微波器件外壳等。 1 2 引线电阻 1. 对于直流、高压 低电源电压，大驱动电流、低内阻器件 RL 降低R 的方法： 线间或导体间的绝缘电阻Rs ；信号线/ 电源线/ 串联电阻：1~0.002 Ω； L 介质层间击穿电压； 多引线并联，分流；Rent定律；多导通孔 并联 要求 Rs ≥108～1011 Ω 高输入阻抗运放的差模输入RID ≥1012 Ω， 多引线 线间漏电流 Is= ΔV / Rs 要求Rs ≥1013 Ω 材料上，低阻材料： 如相邻线间电位差 ΔV ＝2V 塑封： Cu框架，Cu-Fe 合金代替42# 合金 -6 -6 Rs=107 Ω C194