SOI纳米线波导导光机理的物理分析.pdfVIP

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前沿进展 SOI纳米线波导导光机理的物理分析* , ,, ,, 李运涛1昄 徐学俊12昄昄 黄庆忠13昄昄昄 俞育德1 余金中1 暋暋 暋暋 暋暋 暋暋 ( 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 北京 ) 1暋 暋 暋 暋100083 ( 东京都市大学综合研究所 硅纳米科学研究中心 东京 日本) 2暋 暋 暋 暋158灢0082暋 ( ( ) ) 华中科技大学武汉光电国家实验室 筹 武汉 3暋 暋 暋430074 摘 要 ( )纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一 文章从基本 暋 暋暋SOIsilicononinsulator . 灢 灢 , , 的导波光学理论出发 引入古斯 汉森位移理论 对 纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释 - SOI 和模拟结果. , , 关键词 绝缘体上的硅 纳米线波导 古斯 汉森位移 暋暋 - The hsicsofsilicon灢on灢insulatornanowirewaveuides py g , ,, ,, 1昄 12昄昄 13昄昄昄 1 1 LI暋YunTao 暋暋XU暋XueJun 暋暋HUANG暋Qin Zhon 暋暋YU暋YuDe暋暋YU暋JinZhon g g g 灢 灢 灢 灢 灢 ( , , , , ) 1暋StateKe laborator o InteratedOtoelectronics Instituteo Semiconductor ChineseAcadem o Sciences Beiin 100083China y y f g p f y f jg ( , , ) 2暋TokoCitUniversit Toko158-0082 Jaan y y y y p (

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