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1.從物理意義上解釋低通電路2.穩態分析方法3.增益與傳遞函數4.複數的模與相角*?結構?工作原理?輸出特性?轉移特性?主要參數4.1.1JFET的結構和工作原理4.1.2JFET的特性曲線及參數結型場效應管1.結構4.1.1JFET的結構和工作原理源極(Souce)用S或s表示N型導電溝道漏極(Drain)用D或d表示P型區P型區柵極,用G或g表示柵極(Grid)用G或g表示符號符號4.1.1JFET的結構和工作原理#符號中的箭頭方向表示什麼?名詞與符號①VGS對溝道的控制作用當VGS<0時(以N溝道JFET為例)當溝道夾斷時,對應的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP(或VGS(off))。對於N溝道的JFET,VP0。PN結反偏耗盡層加厚溝道變窄。??VGS繼續減小,溝道繼續變窄②VDS對溝道的控制作用當VGS=0時,VDS??ID?G、D間PN結的反向電壓增加,使靠近漏極處的耗盡層加寬,溝道變窄,從上至下呈楔形分佈。當VDS增加到使VGD=VP時,在緊靠漏極處出現預夾斷。此時VDS?夾斷區延長?溝道電阻??ID基本不變?③VGS和VDS同時作用時當VPVGS0時,導電溝道更容易夾斷,對於同樣的VDS,ID的值比VGS=0時的值要小。在預夾斷處VGD=VGS-VDS=VP2.工作原理4.1.1JFET的結構和工作原理綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數載流子參與導電,
所以場效應管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件,iD受vGS控制預夾斷前iD與vDS呈近似線性關係;預夾斷後,iD趨於飽和。JFET柵極與溝道間的PN結是反向偏置的,因
此iG?0,輸入電阻很高。4.1.1JFET的結構和工作原理#JFET有正常放大作用時,溝道處於什麼狀態?2.轉移特性VP1.輸出特性4.1.2JFET的特性曲線及參數①夾斷電壓VP(或VGS(off)):②飽和漏極電流IDSS:③低頻跨導gm:或漏極電流約為零時的VGS值。VGS=0時對應的漏極電流。低頻跨導反映了vGS對iD的控制作用。gm可以在轉移特性曲線上求得,單位是mS(毫西門子)。④輸出電阻rd:3.主要參數4.1.2JFET的特性曲線及參數⑤直流輸入電阻RGS:對於結型場效應三極管,反偏時RGS約大於107Ω。⑧最大漏極功耗PDM⑥最大漏源電壓V(BR)DS⑦最大柵源電壓V(BR)GS4.1.2JFET的特性曲線及參數3.主要參數(續)1.從物理意義上解釋低通電路2.穩態分析方法3.增益與傳遞函數4.複數的模與相角*
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