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STM32F7系列闪存和存储器管理

1.闪存管理

1.1闪存结构和特性

STM32F7系列单片机内置了大量的闪存存储器，用于存储程序代码、常量数据和用户数据。闪存通常分为多个块，每个块又分为多个页，页是闪存操作的最小单位。STM32F7系列的闪存块和页的大小如下：

闪存大小：通常为512KB到2MB，具体取决于不同的型号。

块大小：4KB到128KB。

页大小：1KB到4KB。

闪存的主要特性包括：

非易失性：断电后数据不会丢失。

读取速度快：支持高速读取操作。

写入和擦除速度慢：需要较长的时间来完成写入和擦除操作。

擦除次数有限：每个块的擦除次数通常在100,000次左右。

写入次数有限：每个页的写入次数通常在100,000次左右。

1.2闪存操作

STM32F7系列单片机提供了丰富的API来管理闪存，包括读取、写入和擦除操作。这些操作主要通过Flash存储器接口（FLASH）完成。

1.2.1读取操作

读取闪存中的数据非常简单，可以直接通过指针访问。

//读取闪存中的数据

uint32_treadDataFromFlash(uint32_taddress){

return*(__IOuint32_t*)address;

}

//示例：读取闪存中地址0数据

uint32_tdata=readDataFromFlash(0;

1.2.2写入操作

写入闪存需要先解锁闪存控制器，然后进行数据写入，最后锁定闪存控制器以防止意外写操作。

#includestm32f7xx_hal.h

//写入闪存中的数据

HAL_StatusTypeDefwriteDataToFlash(uint32_taddress,uint32_tdata){

HAL_StatusTypeDefstatus=HAL_OK;

//解锁闪存控制器

if(HAL_FLASH_Unlock()!=HAL_OK){

returnHAL_ERROR;

}

//设置闪存编程数据

FLASH_TypeProgram_TypeDefprogramType=FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD;

status=HAL_FLASH_Program(programType,address,data);

//锁定闪存控制器

HAL_FLASH_Lock();

returnstatus;

}

//示例：写入数据0闪存地址0

HAL_StatusTypeDefresult=writeDataToFlash(00;

if(result==HAL_OK){

//写入成功

}else{

//写入失败

}

1.2.3擦除操作

擦除闪存需要指定要擦除的块或页。擦除操作会将指定区域的数据全部清零。

//擦除闪存中的块

HAL_StatusTypeDeferaseFlashBlock(uint32_taddress){

FLASH_EraseInitTypeDeferaseInitStruct;

uint32_tpageError=0;

//解锁闪存控制器

if(HAL_FLASH_Unlock()!=HAL_OK){

returnHAL_ERROR;

}

//设置擦除参数

eraseInitStruct.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;

eraseInitStruct.PageAddress=address;

eraseInitStruct.NbPages=1;//擦除一个页

//执行擦除操作

HAL_StatusTypeDefstatus=HAL_FLASHEx_Erase(eraseInitStruct,pageError);

//锁定闪存控制器

HAL_FLASH_Lock();

returnstatus;

}

//示例：擦除闪存地址0在的页

HAL_StatusTypeDefresult=era