JBT 5531-2007静电复印硒鼓 光电性能测量方法.pdf

ICS 37.100.01G81备案号：21873—2007中华人民共和国机械行业标准JB/T 5531--2007代替JB/T 5531—1991静电复印硒鼓光电性能测量方法Selenium drum for electrostatic copying- Measuring method of photoelectric performance2007-10-08 发布2008-03-01实施中华人民共和国国家发展和改革委员会发布 JB/T 5531--2007目次前言II11范围.2术语和定义方法原理.3 4测试装置..5 测试条件.5.1测试环境条件。5.2硒鼓转速设定。5.3充电电流的设定.5.4曝光条件的设定，5.5消电条件的设定6 测试步骤…6.1方法 A 的测试步骤.6.2方法 B 的测试步骤·7测试报告图1 测试装置示意图.图2电流校正规示意图图 3测试 Uo的时序示意图图 4测试 DDR 的时序示意图图 ５测试U,的时序示意图图 6测试 Ur 的时序示意图图7测试光电疲劳性能的时序示意图。.6图．方法B的测试时序示意图.… 中华人民共和国机械行业标准静电复印硒鼓光电性能测量方法JB/T 5531-2007* 机械工业出版社出版发行北京市百万庄大街22号邮政编码：100037*210mm×297mm·0.75印张·19千字2008年3月第1版第1次印刷* 书号：15111·8836网址：http: //(010)辑部电话：(010)销中心电话：封面无防伪标均为盗版版权专有侵权必究 JB/T 5531—2007前 創言本标准代替JB/T 5531-1991《静电复印硒鼓光电性能测量方法》。本标准与JB/T5531-1991相比，主要变化如下：增加标准的英文名称；增加前言;将第1章“主题内容与适用范围”改为“范围”；-根据GB/T 1.1一2000对标准的结构和格式进行了编辑和调整;删除附加说明。本标准由中国机械工业联合会提出。本标准由全国复印机械标准化委员会（SAC/TC147）归口。本标准起草单位：天津复印技术研究所。本标准主要起草人：赵晓东、唐云山、赵桂华。本标准所代替标准的历次版本发布情况：JB/TII JB/T 5531—2007静电复印硒鼓光电性能测量方法1 范围本标准规定了测量静电复印硒鼓光电性能的两种方法（方法A和方法B），内容包括方法原理、测试装置、测试条件、测试步骤和测试报告。本标准适用于硒及硒合金类型静电复印硒鼓。2术语和定义下列术语和定义适用于本标准。2.1初始电位（Uo）initial potential硒鼓在暗处及设定的充电条件下充电后表面所带的电位，单位V。2.2暗衰减率（DDR） dark decay rate硒鼓在暗处及设定的表面电位下，表面电位的衰减速率，单位V/s。2.3感度 sensitivity2.3.1半衰（减）曝光量（Hso）half decay exposure硒鼓表面电位由800V衰减到400V所需的曝光量，单位1x·s。2.3.2半色调电位U，half tone potential硒鼓在800V的表面电位下，经设定的半色调曝光量曝光后，表面所带的电位，单位V。2.4半色调曝光量half tone exposure是测量半色调电位U.时设定的曝光量，它将使曝光后的硒鼓表面电位约为400V，其值大小随硒鼓种类而异，单位lx·s。2.5残余电位Uresidual potential硒鼓在800V的表面电位下，经设定的白底曝光量曝光后，表面所带的电位，单位V。2.6白底曝光量:whole exposure是测量硒鼓残余电位U,时设定的曝光量，其值的大小随硒鼓的种类而异，单位Ix·s。2.7光电疲劳photoelectric fatigue在重复充电、曝光、消电的情况下，硒鼓光电性能的劣化现象。常用反映光电疲劳现象的初始电位变化量△U.和残余电位变化量^U,来表示光电疲劳性能。3　方法原理 JB/T 5531—2007模拟静电复印机的充电，曝光，消电过程，通过测量硒鼓表面电位在此过程中的变化，求出初始电位、暗衰减率、感度、残余电位及光电疲劳等项光电性能参数。4测试装置测试装置的结构示意图如图1所示，主要由下列四部分组成：（1）电位测量部分。使用表面电位计，量程为0～2000V，精度不低于1%。（2）曝光用光源部分。使用色温2859K土50K标准灯，到达硒鼓表面的照度可通过中性滤光片和光圈来进行调整。（3）机械传动及电气控制部分。（4）数据处理及记录，打印输出部分。 DC+4.0kV~6.5kV一充电器：DC4.0kV～6.5kV可调；2——曝光灯：色温2859K±50K；3-一扩散片：使到硒鼓表面照度分布