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1 引言 二十一世纪是信息化时代，社会的信息化推动了平板显示器和传感器向大面积、高清晰度、高分辨率、低价化和人性化的方向发展，薄膜晶体管作为平板显示器和传感器的核心元件已经被广泛研究与应用［1，2］，在各种薄膜晶体管中，氧化锌薄膜晶体管（ZnO-TFTs）具有良好的电学和光学性能，光敏感性低、较高的电子迁移率、可见光透明及可以低温制备等优点使得它们将在下一代TFT得到广泛应用［3，4］，随着芯片集成度的不断增加，功耗将成为影响超大规模集成电路及器件一个主要因素，随着器件特征尺寸的不断减小，栅氧化层的厚度将不断减小，最后厚度逐渐接近原子距离，导致隧道效应作用明显，使得栅极漏电流成为必须考虑的问题
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