理学模拟电子技术期末复习总结.pptxVIP

　 我的目的不是教你们如何应付考试，甚至不是让你们掌握这些知识，以便更好地为今后你们面临的工业或军事工作服务。我最希望的是，你们能够像真正的物理学家一样，欣赏到这个世界的美妙。物理学家们看待这个世界的方式，我相信，是这个现代化时代真正文化内涵的主要部分。也许你们学会的不仅仅是如何欣赏这种文化，甚至也愿意参加到这个人类思想诞生以来最伟大的探索中来。 －－－理查德.费曼; 第一、八、十章 概念 数字信号、模拟信号；数字电路、模拟电路的区别和联系； 功率放大电路的特点、类型、计算； 直流稳压电源的组成、各部分作用及电路特点。; 第三章 半导体二极管 杂质半导体的导电机理； PN结的形成及其单向导电性； 半导体二极管的伏安特性； 要注意基本概念与实验的结合。;2.二极管电路及其输入波形见下图：已知uimUR，UD=0，试画出输出电压波形。;答案：1）; 第四章 半导体三极管及 放大电路基础 半导体三极管放大的条件（发射结正偏，集电结反偏），会判断电路能否正常放大； 半导体三极管的电流控制和放大作用； 直流通路与静态工作点的确定； 交流通路与H参数模型（熟练掌握）及电压增益、输入输出电阻的求解；;三极管工作情况总结1：;单管放大电路的三种基本接法 —— 组态;1.放大电路如图所示。设VT1、VT2特性相同，且UBE＝0.7V，电源电压VCC＝12V，电阻R1＝34k?，R2＝10k?，R5＝20k?，R6＝10k?，现要求静态工作电流ICQ2＝1mA，且VT1、VT2均应工作在放大区。 1)电阻R3应选多大？ 2)电阻R4的阻值有无限制？若有，其极限值为多大？;解：1）;; 第五章 场效应管放大电路 JFET的工作原理-----vGS对iD的控制作用及vDS对iD的影响； MOSFET的工作原理； JFET的输出特性、转移特性及主要参数； 电路的分析（静态和动态）； 与三极管放大电路各组态的比较。;场效应管总结;各类场效应管总结;;;1.将图示的共源放大电路改为采用双极型管的共射放大电路，要求不改变电源电压和电阻、电容元件的数量。;2.为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式，用a、b、c填空。 1)电压放大倍数比较大，应选____。 2)带负载能力强，应选____。 3)电压放大倍数接近1，并且输出电压与输入电压反相，应选____。;第六章 集成运算放大器 集成电路中的电流源电路（镜像电流源、微电流源）； 差分式放大电路的分析及计算（双入双出、双入单出、单入单出、单入双出）--记半边电路的特点公式； 集成运放的组成及理想运放的主要参数。;;;;;1、图所示电路中场效应管的gm=1.5mA/V，三极管的?=100，VBE=0.7V，r bb’ =200Ω，其他参数标注于图上。（1）如果要求Vi=0时Vo=0，求R的值；（2）求电路的电压放大倍数和输出电阻。;2.实验电路如图所示。设调零电位器Rw滑动端位于中点，试就下列问题选择正确答案填空（答案：A．右移，B．左移，C．不移）。 1）若只因为 UBE1? UBE2， 为了使静态电 流IC1＝ IC2， 应将RW滑动 端＿＿； 2）若只因为 ?1? ?2， 为了使两边单 端输出放大 倍数 |Av1|=|Av2|， 应将RW滑动 端＿＿。;3.单端输入、单端输出差分放大电路如图所示。设 ?1＝?2＝?3＝?，且?足够大，rbe1＝rbe2＝rbe，又设 Re足够大，试推导电压放大倍数Av的表达式。;4.双端输入、单端输出的场效应管差分放大电路如图所示。设场效应管VT1、VT2特性相同，且gm＝2mS，rds＝20k?。试计算差模电压放大倍数，共模电压放大倍数和共模抑制比。;;第七章 负反馈放大器 基本概念（反馈、反馈通道、开环、闭环、级间反馈、本级反馈）； 负反馈对放大电路性能的改善（提高增益的稳定性、改变输入输出电阻、扩展频带、减少非线性失真）； 负反馈类型的判断（四步法）及符合要求的电路连接； 深度负反馈条件下的近似计算及自激振荡的条件。;1.反馈放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。 1）指出级间交流反馈支路、极性和组态及其对输入电阻、输 出电阻的影响； 2）计算深度负反馈条件下闭环电压放大倍数、输入电阻、 输出电阻。;解： 1）由R3和R4组成交流电压串联负反馈，可增大输入电阻， 减小输出电阻。 ;第二、九章 信号的运算与处理电路 基本概念：虚短、虚断； 基本运算电路的电路形式与分析（正比例、负比例、加、减、积分、微分、对数、反对数）； 有