azo薄膜性能分析及其在薄膜电池上的应用word格式论文.docxVIP

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2018-05-18 发布于上海
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azo薄膜性能分析及其在薄膜电池上的应用word格式论文

AbstractZincoxide(ZnO)hasattractedconsiderableattentioninthepastthreedecadesdueto itsuniquecombinationofhightransparencyandlowresistivity.ZnO-basedtransparent conductivefilmbecamepopularafter1980.The mostwidelyusedisAl-dopedZnO(AZO) filmsatpresent.Itisalsoconsideredtobethemostpotentialtransparentconductiveoxide (TCO), which is expected to be the alternative ofthe indiumtin oxides (ITO).Asanewsemiconductorfilmmaterial,applicationofAZOisstillintheresearch stage,anditsperformanceisneededtobeimprovedtopreparethinfilmwithbetter properties.InthispaperAZOthinfilmsweremanufacturedbyradiofrequency(RF) magnetronsputteringandtheinfluencefactorsduringtheprocesswereanalyzed:the substratetemperatureandthesputteringpower.Theperformanceoffilmisexaminedin differentwayssuchasfilmstructure,electricalproperties,opticalpropertiesandsurface morphology.Then some samples were corroded on to obtain thepyramid structure.Then, the effects ofAr flow, RFsputtering power and substrate temperature onAZOs opticalbandgaparediscussed.Secondly,thecorrelationofopticalbandgapandcarrier concentrationisthendeducedbythemodulationoftheopticalbandgapbychangingthe depositionparameters.Thenas-preparedAZOthinfilmswithdifferenttransmittancewere obtained,whichcanbeusedtofigureoutthebandgapthatvariedfrom3.28to3.88eVas aresult.Comparingthebandgaptocarrierconcentration,itwasfoundthatthebandgap was proportional to carrier concentration ina certain range.AndthentheapplicationofobtainedAZOthinfilmtoflexiblethinfilmamorphous silicon(a-Si)solarcellswasintroduced,whichhasbeenthehotspotofresearchdueto lowcostandflexibilityofthiskindofsolarcells.ThedepositionmethodisPlasma EnhancedChemicalVaporDeposition(PECVD).Firstly,AZOfilmswithpyramid structurewereintroducedtoa-Sisolarcellsaswindowlayer.AndfoundthatAZOfilm withpyramidstructurecanimprovetheefficiencyofsolarcell.ThenAZOfilmdeposited withdifferentRFpowersandsubstratetemperatureswereappliedtoflexiblesolarcellsto investigate the influenceof transmission and band gap on thep